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臺積電 N3E 工藝,蘋(píng)果 M4 芯片有望今晚登場(chǎng):有 3 個(gè)版本
- IT之家 5 月 7 日消息,最新報告稱(chēng)蘋(píng)果 M4 芯片將采用臺積電的 N3E 工藝,而且該系列會(huì )有 3 個(gè)版本。蘋(píng)果公司在今晚 10 點(diǎn)舉辦的“放飛吧”特別活動(dòng)中將會(huì )推出新款 iPad Pro 產(chǎn)品,預估將會(huì )采用 M4 芯片,而曝料消息稱(chēng)該系列將采用臺積電 N3E 工藝。相比較臺積電的 N3B 工藝,臺積電的 3nm N3E 工藝良率更高,性能更強,能效更優(yōu)。IT之家援引該媒體報道,蘋(píng)果 M4 標準版內部代號為“Donan”,還有更強大的“Brava”,預估將會(huì )隨新款 Ma
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天璣9400繼續采用全大核架構 外加N3E工藝加持
- 11月6日,聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創(chuàng )新,取消了低功耗核心簇,轉而采用“全大核”架構,包含四顆Cortex-X4 超大核(最高頻率可達3.25GHz)以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱(chēng)這款芯片存在過(guò)熱問(wèn)題,但聯(lián)發(fā)科予以否認并聲稱(chēng)其性能表現出色。近期有爆料稱(chēng)聯(lián)發(fā)科并沒(méi)有因天璣9300的爭議而改變策略,反而將在明年的天璣9400上繼續采用“全大核”架構。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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臺積電推進(jìn)N3E制程工藝量產(chǎn) 蘋(píng)果下單承諾為iPhone 16備貨
- 據外媒報道,按iPhone所搭載的A系列芯片制程工藝不斷升級的慣例,在iPhone 15 Pro系列搭載由臺積電采用第一代3nm制程工藝代工的A17 Pro芯片之后,蘋(píng)果明年秋季將推出的iPhone 16系列,就將部分或全部搭載由第二代3nm制程工藝代工的A18芯片。也就意味著(zhù)臺積電的這一制程工藝,在明年蘋(píng)果推出iPhone 16系列之前,就將具備大批量代工的能力,能為iPhone 16的備貨提供芯片上的支持。蘋(píng)果在iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max兩款機型上,裝備了采用N3B
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高通驍龍8 Gen 4將基于N3E工藝打造,啟用自研Nuvia架構
- 最新外媒爆料透露,計劃2024年底推出的高通驍龍8 Gen 4將基于臺積電N3E工藝打造。據悉,蘋(píng)果的A17芯片將會(huì )率先商用臺積電3nm工藝,初期使用N3B工藝,后期切換到N3E工藝。在蘋(píng)果A17芯片之后,高通也將會(huì )擁抱臺積電3nm工藝。#01據悉,臺積電3nm工藝家族包含N3B、N3E、N3P、N3X、N3S等多個(gè)版本,其中N3B是初始版本,對比N5,N3B在同等功耗下性能提升12%、同等性能下功耗降低27%,但性能、功耗、量產(chǎn)良率和進(jìn)度等都未達臺積電預期。于是有了增強版的N3E,臺積電N3E修復了N3
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楷登電子成功流片基于臺積電N3E工藝的16G UCIe先進(jìn)封裝IP
- 近日,楷登電子(Cadence)宣布基于臺積電3nm(N3E)工藝技術(shù)的Cadence? 16G UCIe? 2.5D先進(jìn)封裝IP成功流片。該IP采用臺積電3D Fabric? CoWoS-S硅中介層技術(shù)實(shí)現,可提供超高的帶寬密度、高效的低功耗性能和卓越的低延遲,非常適合需要極高算力的應用。據悉,楷登電子目前正與許多客戶(hù)合作,來(lái)自N3E測試芯片流片的UCIe先進(jìn)封裝IP已開(kāi)始發(fā)貨并可供使用。這個(gè)預先驗證的解決方案可以實(shí)現快速集成,為客戶(hù)節省時(shí)間和精力。
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傳聞稱(chēng)蘋(píng)果M3芯片預計采用臺積電N3E工藝制造

- 最新消息稱(chēng),除了蘋(píng)果iPhone 15系列所搭載的A17之外,蘋(píng)果新款MacBook Air、iPad Air/Pro預計將采用臺積電的N3E工藝制造的M3芯片,這些搭載新芯片的產(chǎn)品可能會(huì )分別在今年下半年和明年上半年陸續推出。此前,有報道稱(chēng)新款15英寸MacBook Air將采用與2022年13英寸MacBook Pro一起推出的M2芯片。然而,據爆料稱(chēng)蘋(píng)果新款MacBook Air可能會(huì )搭載M3處理器性能,相比于M2 Max提升24%(單核)和6%(多核),但可能無(wú)緣在6月6日的蘋(píng)果WWDC開(kāi)發(fā)者大會(huì )上
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臺積電稱(chēng)即將完成 N3E 節點(diǎn)

- 臺積電正在開(kāi)發(fā)多個(gè) N3 節點(diǎn),目前至少 N3、N3B 和 N3E 正在開(kāi)發(fā)中。N3 計劃于 2023 年投產(chǎn),N3E 節點(diǎn)原定于 2024 年投產(chǎn)。N3E 節點(diǎn)原本是 N3 節點(diǎn)的增強版本,基于更少的 EUV 層的的設計,據說(shuō)從 25 層降至 21 層,這將使其更容易制造。據悉據說(shuō) N3E 節點(diǎn)的密度比原始 N3 節點(diǎn)低 8% 左右,但仍比 N5 節點(diǎn)高 60% 左右。相比之下,據說(shuō) N3 節點(diǎn)的邏輯密度比 N5 節點(diǎn)高 70%。 最新的報告顯示, 臺積電N
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