ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。

據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì )更高。目前每臺EUV光刻機的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多。如果情況屬實(shí)，意味著(zhù)Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格也會(huì )在High-NA EUV光刻機的基礎上翻倍。購買(mǎi)最先進(jìn)的設備涉及高昂的費用支出，讓臺積電（TSMC）、三星和英特爾變得猶豫不決。

由于High-NA EUV光刻機較高的定價(jià)，已經(jīng)讓臺積電變得更加謹慎，計劃盡可能地讓現有EUV光刻機最大限度地發(fā)揮性能，通過(guò)適當地升級現有工具、更多地采用多重曝光等技術(shù)手段，以減輕采購新設備的投資壓力。此前臺積電已經(jīng)公開(kāi)表達了對High-NA EUV光刻機使用成本的擔憂(yōu)，表示采用新技術(shù)的決定取決于最大經(jīng)濟效益和可實(shí)現技術(shù)之間的平衡，并拒絕透露引入High-NA EUV技術(shù)的時(shí)間表。今年臺積電推出了A16工藝，在外界看來(lái)，一定程度上是為了延后啟用新設備的時(shí)間。

三星也在考慮High-NA EUV光刻機，不過(guò)隨著(zhù)Hyper-NA EUV光刻機的時(shí)間表變得清晰，可能選擇調整其長(cháng)期路線(xiàn)圖。有業(yè)內人士透露，對于涉及1nm以下的工藝，現在選擇High-NA EUV可能不是最佳選擇，其中一種可行性是最大限度地利用手上的EUV設備，跳過(guò)High-NA EUV，直接過(guò)渡到Hyper-NA EUV。

雖然英特爾是首個(gè)購入High-NA EUV光刻機的客戶(hù)，但是去年其代工業(yè)務(wù)虧損了70億美元，今年第一季度甚至虧損還擴大了。如果貿然采購下一代EUV光刻設備，很可能會(huì )面臨嚴峻的財務(wù)挑戰。