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三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區
三星計劃明年初量產(chǎn)超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號稱(chēng)層數業(yè)內最多
- IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應商，對其 V-NAND（即三星稱(chēng)之為的 3D NAND）的發(fā)展有著(zhù)宏大的計劃，本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí)，其正在按計劃生產(chǎn)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內層數最多的 3D NAND?！暗诰糯?V-NAND 基于雙層結構，層數達到業(yè)界最高水平，明年初將開(kāi)始量產(chǎn)?！比请娮涌偛眉娲鎯ζ魇聵I(yè)部負責人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫(xiě)道。IT之家注意到，8 月份就有消息稱(chēng)，三
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲 NAND閃存
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠(chǎng)
- 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。報道中稱(chēng)，三星已開(kāi)始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠(chǎng)陸續引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設備。此前消息稱(chēng)，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠(chǎng)提供設備，無(wú)需其他許可。據了解，目前三星西安工廠(chǎng)已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
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全球首款4億像素傳感器曝光：尺寸接近1英寸
- 據悉，三星申請了Hexa2Pixel商標。眾所周知，三星Galaxy S22 Ultra主攝為1.08億像素，它支持像素9合1，可以輸出1200萬(wàn)像素樣張（108÷9＝12）。這次三星申請Hexa2Pixel商標，意味著(zhù)三星正在開(kāi)發(fā)36合1的圖像傳感器（Hexa=6，Hexa的平方=36），根據1.08億像素9合1輸出1200萬(wàn)像素樣張進(jìn)行反向推算，36合1意味著(zhù)主攝分辨率超過(guò)了4億像素。據了解，三星正在開(kāi)發(fā)兩款4億像素傳感器，這兩款傳感器都擁有4.32億像素，這將是業(yè)界首款4億像素圖像傳感器。其中一款型
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三星人事變動(dòng)，瞄準碳化硅！
- 10月16日，根據韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監督SiC功率半導體業(yè)務(wù)，并在其內部組織了SiC功率半導體業(yè)務(wù)V-TF部門(mén)。Stephen Hong是功率半導體專(zhuān)家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時(shí)通過(guò)與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動(dòng)，進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進(jìn)軍GaN業(yè)務(wù)的時(shí)候也曾提
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三星Galaxy S24 Ultra跑分曝光 超頻版驍龍8 Gen3表現如何？
- 金秋十月，科技圈也進(jìn)入了一年中最關(guān)鍵的階段，大家的目光開(kāi)始集中到了年底前即將亮相的一眾代表性年度旗艦上，而作為安卓機皇的三星新一代旗艦Galaxy S24系列自然也是大家關(guān)注的焦點(diǎn)，尤其該機將重新回歸雙處理器版本的組合?，F在有最新消息，近日有數碼博主發(fā)現疑似超大杯的三星Galaxy S24 Ultra已現身Geekbench 6跑分平臺。據數碼博主最新發(fā)布的信息顯示，近日一款型號為SM-S928B的機型現身跑分平臺GeekBench，結合此前相關(guān)爆料，該機基本可以確定就是已經(jīng)有很多曝光的三星Galaxy
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TrendForce 預計三星電子 8 英寸晶圓廠(chǎng)明年產(chǎn)能利用率僅 50%
- 10 月 15 日消息，作為當前第二大晶圓代工商的三星電子，明年的產(chǎn)能利用率可能并不樂(lè )觀(guān)，TrendForce 集邦咨詢(xún)預計他們 8 英寸晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率，在明年將只有 50% 左右。TrendForce 表示，受需求下滑影響，三星電子 8 英寸晶圓廠(chǎng)，自今年下半年開(kāi)始就已有產(chǎn)能利用率下滑的跡象。外媒在報道中披露，三星電子目前在京畿道器興運營(yíng)有一座 8 英寸的晶圓廠(chǎng)，月產(chǎn)能 20 萬(wàn)片晶圓，主要生產(chǎn)驅動(dòng)集成電路、圖像傳感器、智能手機電源管理芯片等。在報道中外媒也提到，由于客戶(hù)削減訂單，三星電子
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消息稱(chēng)內存、閃存元器件采購成本上漲 20-30%，Q4 起逐漸波及手機等產(chǎn)品
- IT之家 10 月 13 日消息，據華爾街見(jiàn)聞報道，供應鏈上下游龍頭公司透露稱(chēng)，受三星等存儲原廠(chǎng)減產(chǎn)以及國內閃存龍頭存儲顆粒產(chǎn)能不足的影響，內存和閃存元器件采購成本逐步上漲。報道稱(chēng)，相較此前低位，國內有存儲器下游龍頭閃存采購成本已上漲近 20%，內存采購成本上漲約 30%。隨之而來(lái)的影響，即從今年四季度開(kāi)始，存儲元器件成本上漲所帶來(lái)的影響將逐漸傳導至消費端，筆記本電腦、手機等終端產(chǎn)品可能面臨漲價(jià)局面。同樣在今天上午，@數碼閑聊站 也發(fā)文稱(chēng)“上游搞了個(gè)騷操作”，并直言?xún)却婧痛鎯Α鞍撞藘r(jià)的時(shí)代要過(guò)去
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三星、臺積電3nm良品率均未超過(guò)60% 將影響明年訂單競爭
- 作為當前全球最先進(jìn)的制程工藝，臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn)，其中三星電子是在6月30日開(kāi)始量產(chǎn)，臺積電則是在12月29日開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報道來(lái)看，這兩大廠(chǎng)商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰。此前預計三星的良品率在今年將超過(guò)60%，臺積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶(hù)代工的芯片，良品率達到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
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三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
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由于芯片虧損擴大，三星電子預計第三季度利潤將下降 78%
- IT之家 10 月 11 日消息，三星電子周三報告稱(chēng)，第三季度營(yíng)業(yè)利潤可能下降 78%，原因是全球芯片供應過(guò)剩的持續影響導致這家韓國科技巨頭的搖錢(qián)樹(shù)業(yè)務(wù)出現虧損。這家全球最大的存儲芯片和智能手機制造商在一份簡(jiǎn)短的初步收益聲明中預計，7 月至 9 月的營(yíng)業(yè)利潤將從一年前的 10.85 萬(wàn)億韓元降至 2.4 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 129.6 億元人民幣）。這跟此前一些分析師的預測基本相符，出于對經(jīng)濟衰退的擔憂(yōu)，智能手機和個(gè)人電腦制造商一直在避免購買(mǎi)新的存儲芯片，而是選擇在幾個(gè)月內耗盡現有庫
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三星正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標2025年供貨
- 三星電子日前表示，計劃開(kāi)始提供HBM3E樣品，正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據韓媒，三星電子副總裁兼內存業(yè)務(wù)部DRAM開(kāi)發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開(kāi)始提供HBM3E樣品，正在開(kāi)發(fā)HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性?xún)?yōu)化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應用于該產(chǎn)品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務(wù)團隊，以加強尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門(mén)之間的協(xié)同作用。
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全球芯片供應持續過(guò)剩 三星第三季度營(yíng)業(yè)利潤或下滑80%
- 10月10日消息，因受到全球芯片供應持續過(guò)剩的影響，三星電子的“搖錢(qián)樹(shù)”業(yè)務(wù)第三季度可能出現巨額虧損，營(yíng)業(yè)利潤預計將較上年同期下降80%。作為全球最大的內存芯片、智能手機和電視制造商，三星電子將于周三公布第三季度初步業(yè)績(jì)。LSEG SmartEstimate對19位分析師進(jìn)行的調查顯示，在第三季度，三星電子的營(yíng)業(yè)利潤可能降至2.1萬(wàn)億韓元（約合15.6億美元）。相比之下，去年第四季度的營(yíng)業(yè)利潤為10.85萬(wàn)億韓元（約合80億美元）。三星營(yíng)業(yè)利潤大幅下滑的原因是，由于內存芯片價(jià)格未能像部分人預期的那樣迅速回
- 關(guān)鍵字： 全球芯片 過(guò)剩 三星 內存芯片 智能手機 電視制造商
三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠(chǎng)。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷(xiāo)售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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