EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
第九代
第九代 文章 進(jìn)入第九代技術(shù)社區
NAND市場(chǎng)，激戰打響
- 隨著(zhù)人工智能（AI）相關(guān)半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類(lèi)型之分，
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
| 共2條 1/1 1 |
第九代介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代的理解，并與今后在此搜索第九代的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代的理解，并與今后在此搜索第九代的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473