三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
10月9日,韓國總統辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備,該決定一經(jīng)通報即生效。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202310/451424.htm據悉,無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User(VEU)清單來(lái)取得。若被納入該清單,便無(wú)需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。
三星在一份聲明中表示,“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調,與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?!?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/SK海力士">SK海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信,這一決定將有助于穩定全球半導體供應鏈?!?/p>
據悉,去年下半年,美國政府接連發(fā)布美國《芯片法案》和更廣泛的半導體出口管制新規,限制對中國的芯片出口,并擴大到國外芯片企業(yè)的投資風(fēng)險。
2022年10月7日,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)發(fā)布一套新的、范圍廣泛的出口管制措施。不僅將31家中國企業(yè)和機構列入所謂“未經(jīng)核實(shí)的名單”(UVL),而且還對向中國出口先進(jìn)人工智能(AI)和超算芯片制造、生產(chǎn)設備以及所需的某些工具實(shí)施新限制。
其中,涉及16nm/14nm以下先進(jìn)制程的邏輯芯片、制造設備,以及18nm以下的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器)和128層以上的NAND存儲半導體產(chǎn)品等。新規要求,三星、高通等廠(chǎng)商如果將上述技術(shù)和半導體產(chǎn)品出口到中國,之前必須獲得美國政府的許可。
上述兩個(gè)措施是韓國經(jīng)濟的“最大懸案”,因為三星和SK海力士在中國工廠(chǎng)的生產(chǎn)比重超過(guò)40%,韓國芯片企業(yè)在中國的銷(xiāo)售比重很高。
去年11月左右,美國政府對臺積電、三星電子、SK海力士等企業(yè)給予為期一年許可證,給予出口許可的例外措施,希望逐步退出在華先進(jìn)半導體技術(shù)設備的投入。但臨時(shí)措施無(wú)法滿(mǎn)足企業(yè)需求,因此韓國政府為了進(jìn)一步延長(cháng)該措施,與美國政府進(jìn)行了緊密的協(xié)商。
三星和SK海力士分別是全球最大和第二大的存儲芯片制造商,TrendForce統計數據顯示,截至6月底,上述兩家半導體生產(chǎn)商合計控制著(zhù)全球近70%的DRAM市場(chǎng)和50%的NAND閃存市場(chǎng)。
值得注意的是,三星和SK海力已在中國投資數十億美元建設芯片生產(chǎn)設施。據路透社報道,三星約40%的NAND閃存芯片在西安工廠(chǎng)生產(chǎn);SK海力士則在無(wú)錫、重慶和大連設有工廠(chǎng),約40%的DRAM芯片在無(wú)錫生產(chǎn),20%的NAND閃存芯片在大連生產(chǎn)。
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