三星、臺積電3nm良品率均未超過(guò)60% 將影響明年訂單競爭
作為當前全球最先進(jìn)的制程工藝,臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn),其中三星電子是在6月30日開(kāi)始量產(chǎn),臺積電則是在12月29日開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202310/451427.htm從外媒最新的報道來(lái)看,這兩大廠(chǎng)商3nm制程工藝的良品率,目前均還在60%以下,在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰。
此前預計三星的良品率在今年將超過(guò)60%,臺積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%,高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶(hù)代工的芯片,良品率達到了60%,但由于并不包括邏輯芯片的SRAM,不被認為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。
3nm制程工藝在良品率上的挑戰,也將影響大客戶(hù)下單,當前兩家公司仍在努力實(shí)現60%以上良品率的目標。臺積電計劃在明年量產(chǎn)N3E、N3P、N3X、N3AE等,重點(diǎn)就是提高良品率降低成本;由于此前在先進(jìn)制程工藝上的失誤,導致高通和英偉達這兩大三星的客戶(hù),將他們最新一代的芯片交由臺積電代工,三星也在嘗試重新獲得這兩家客戶(hù)的訂單。
業(yè)界認為,盡管三星已經(jīng)率先量產(chǎn)重點(diǎn)發(fā)展的3nm全柵極技術(shù)(GAA),但它的產(chǎn)量還不足以影響大客戶(hù)。在這種技術(shù)中,由于柵極環(huán)繞在構成半導體的晶體管中電流通道的四邊,與此前環(huán)繞三邊的工藝相比,難度自然會(huì )增加。一位熟悉三星的人士透露,“要贏(yíng)得高通等大客戶(hù)明年的3nm移動(dòng)芯片訂單,良率至少需要提高到 70%?!?/strong>
至于臺積電,雖然作為目前唯一一家擁有3nm量產(chǎn)記錄的公司,但其產(chǎn)量同樣低于最初預期。在今年年初,臺積電3nm制程工藝的良品率在55%左右,這也使得蘋(píng)果在談判中獲得了更低的價(jià)格。
有分析師表示,臺積電3nm工藝中使用了與上一代工藝相同的FinFET結構,可能“未能控制”過(guò)熱問(wèn)題。由于蘋(píng)果新推出的iPhone 15 Pro存在過(guò)熱問(wèn)題,部分業(yè)內人士開(kāi)始懷疑代工A17 Pro芯片的臺積電3nm制程工藝,越來(lái)越不確定臺積電的這一制程工藝是否已經(jīng)完全準備好。
而天風(fēng)國際分析師郭明郭明錤稱(chēng):“iPhone 15 Pro系列的過(guò)熱問(wèn)題,與臺積電的3nm制程無(wú)關(guān),主要很可能是為了讓重量更輕,因此對散熱系統設計作出了妥協(xié),像是散熱面積較小、采用鈦合金影響散熱效果等?!?/span>
此外,三星、臺積電和英特爾都在準備 2nm 工藝,但與3nm相比,性能和功耗效率的提升“并不明顯”,因此預計3nm工藝芯片的需求持續時(shí)間將超過(guò)預期。
評論