三星計劃明年初量產(chǎn)超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號稱(chēng)層數業(yè)內最多

IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應商，對其 V-NAND（即三星稱(chēng)之為的 3D NAND）的發(fā)展有著(zhù)宏大的計劃，本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí)，其正在按計劃生產(chǎn)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內層數最多的 3D NAND。

“第九代 V-NAND 基于雙層結構，層數達到業(yè)界最高水平，明年初將開(kāi)始量產(chǎn)?！比请娮涌偛眉?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/存儲">存儲器事業(yè)部負責人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫(xiě)道。

IT之家注意到，8 月份就有消息稱(chēng)，三星正在研發(fā)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND，將繼續采用三星在 2020 年首次使用的雙層技術(shù)。而且三星現在表示其 3D NAND 的有效層數將超過(guò)競爭對手，目前我們知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 將具有 321 層，因此三星第九代 V-NAND 層數應該會(huì )更多。

層數的增加將使三星提高其 3D NAND 設備的存儲密度。該公司預計，未來(lái)的閃存類(lèi)型不僅會(huì )提高存儲密度，還會(huì )提高性能。

“三星還在研究下一代創(chuàng )造價(jià)值的技術(shù)，包括一種新的結構，可以最大化 V-NAND 的輸入 / 輸出（I / O）速度?！崩钫嗾f(shuō)。

目前還不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面會(huì )有什么表現，不過(guò)相信該公司會(huì )使用這種存儲器來(lái)生產(chǎn)其即將推出的固態(tài)硬盤(pán)，可能會(huì )采用 PCIe Gen5 接口。

至于更長(cháng)期的技術(shù)創(chuàng )新，三星致力于最小化單元干擾、降低高度和最大化垂直層數，這將使其能夠實(shí)現業(yè)內最小的單元尺寸。這些創(chuàng )新將對推動(dòng)三星實(shí)現擁有超過(guò) 1000 層的 3D NAND 以及高度差異化的存儲器解決方案的愿景起到關(guān)鍵作用。