消息稱(chēng)三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內存芯片

2 月 5 日消息，據報道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會(huì )上推出多款尖端內存產(chǎn)品。

除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會(huì )議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。

雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì )上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個(gè)引腳 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 級晶圓代工節點(diǎn)的 Symmetric-Mosaic 架構設計，專(zhuān)門(mén)針對 DRAM 產(chǎn)品量身定制。

三星電子內存產(chǎn)品和技術(shù)執行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 產(chǎn)品時(shí)表示：“憑借我們的 12nm 級 32Gb DRAM，我們已經(jīng)獲得了一種解決方案，可以實(shí)現高達 1TB (TB) 的 DRAM 模塊，使我們能夠理想地滿(mǎn)足人工智能 (AI) 和大數據時(shí)代對高容量 DRAM 的日益增長(cháng)的需求。我們將繼續通過(guò)差異化的工藝和設計技術(shù)開(kāi)發(fā) DRAM 解決方案，突破內存技術(shù)的極限?！?/p>

之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模塊需要硅通孔 (TSV) 工藝。然而，新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生產(chǎn) 128GB 模塊，三星表示這將使功耗降低約 10%。對于目前正在與人工智能不斷增長(cháng)的能源需求作斗爭的數據中心來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)受歡迎的解決方案。

三星最新的 DDR5 技術(shù)允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度創(chuàng )建 32 GB 和 48 GB DIMM，還支持雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。