SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機型。

　　ROHM于2010年在全球率先成功實(shí)現SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應車(chē)載充電器用的SiC肖特基勢壘二極管(SBD)※4)、于2017年開(kāi)始供應車(chē)載充電器和DC/DC轉換器用的SiC MOSFET。

　　此次新增加的10個(gè)機型是采用溝槽柵極結構※5)、并支持車(chē)載應用的SiC MOSFET，產(chǎn)品已于2018年12月開(kāi)始以月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)的規模開(kāi)始量產(chǎn)(樣品價(jià)格：500～5,000日元/個(gè)，不含稅?！唧w價(jià)格因產(chǎn)品而異)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo CO., LTD.(日本福岡)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。

　　近年來(lái)，隨著(zhù)環(huán)保意識的提高和燃油價(jià)格的飆升，電動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)需求不斷增長(cháng)。而另一方面，雖然電動(dòng)汽車(chē)(EV)日漸普及，然而續航距離短始終是亟需解決的課題之一。為了延長(cháng)續航距離，所配置電池的容量呈日益增加趨勢，與此同時(shí)，還要求縮短充電時(shí)間。而要想實(shí)現這些目標，就需要更高輸出且更高效率的車(chē)載充電器(11kW、22kW等)，采用SiC MOSFET的應用越來(lái)越多。另外，以歐洲為中心，所配置電池的電壓也呈日漸增高趨勢(800V)，這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。

　　為了滿(mǎn)足這些市場(chǎng)需求，ROHM一直在加強滿(mǎn)足汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的產(chǎn)品陣容，加上此次新增的產(chǎn)品，ROHM實(shí)施量產(chǎn)的SiC SBD和SiC MOSFET已達到34個(gè)機型，擁有傲人的業(yè)界領(lǐng)先陣容。在SiC MOSFET領(lǐng)域，擁有650V、1200V耐壓的產(chǎn)品陣容，可為客戶(hù)提供先進(jìn)的解決方案。

　　自創(chuàng )立以來(lái)，ROHM一直秉承“品質(zhì)第一”的企業(yè)宗旨，采用從開(kāi)發(fā)到制造全部在集團內進(jìn)行的“垂直統合型”體系，在所有的流程中嚴格貫徹高品質(zhì)理念，并積極建立切實(shí)可靠的可追溯系統，優(yōu)化供應鏈。針對SiC功率元器件產(chǎn)品，也建立了從晶圓到封裝在集團內部生產(chǎn)的一條龍生產(chǎn)體制，消除了生產(chǎn)過(guò)程中的瓶頸，實(shí)現高品質(zhì)和高可靠性。

　　未來(lái)，ROHM將努力進(jìn)一步提高品質(zhì)，并繼續壯大元器件性能更高的產(chǎn)品陣容，為應用的小型化、低功耗化貢獻力量。

　　<產(chǎn)品陣容>

      ＜ROHM的SiC功率元器件開(kāi)發(fā)歷史＞

      ＜ROHM的優(yōu)勢--垂直統合型生產(chǎn)體制＞

       <適用應用示意圖>

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

　　※1)DC/DC轉換器

　　將直流電壓轉換為工作所需的電源電壓的轉換器。

　　※2)汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

　　AEC是Automotive Electronics Council的縮寫(xiě)，是大型汽車(chē)制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車(chē)電子元器件的可靠性標準。Q101是專(zhuān)門(mén)針對分立半導體元器件(晶體管、二極管等)制定的標準。

　　※3)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng))

　　金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管，是FET中最常用的結構，用作開(kāi)關(guān)元件。

　　※4)肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode：SBD)

　　利用金屬與和半導體接觸形成肖特基結、從而獲得整流性(二極管特性)的二極管。沒(méi)有少數載流子存儲效應，具有優(yōu)異的高速特性。

　　※5)溝槽柵極結構

　　溝槽(Trench)意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻，比平面結構更容易實(shí)現微細化，有望實(shí)現接近SiC材料原本性能的導通電阻。