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瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件
- 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會(huì )社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調)、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統等電力電子產(chǎn)品。
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羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設備，與擁有電力系統和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時(shí)實(shí)現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類(lèi)似。這要歸功于英飛凌已獲得專(zhuān)利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 肖特基二極管 SiC
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
SiC二極管逆變器投入應用，讓燃料電池車(chē)更輕
- 日產(chǎn)汽車(chē)開(kāi)發(fā)出了采用SiC二極管的汽車(chē)逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車(chē)“X-TRAIL FCV”上，并開(kāi)始行駛實(shí)驗。通過(guò)把二極管材料由原來(lái)的Si變更為SiC，今后有望實(shí)現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動(dòng)汽車(chē)而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。 SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導通電阻小，因此可
- 關(guān)鍵字： 二極管 SiC 汽車(chē) 逆變器 日產(chǎn)
探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案
- 人體信息監控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監控設備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現家庭監護。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統體積以及將低功耗處理技術(shù)、無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來(lái)，在已有系統上增加一個(gè)帶太陽(yáng)能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。
- 關(guān)鍵字： SiC EEG 生物電信號采集 IMEC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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