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CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開(kāi)發(fā)高功率密度碳化硅（SiC）逆變器
- 高溫半導體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴苛的應用提供高性能電容器的領(lǐng)導者）開(kāi)展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機驅動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見(jiàn)下圖）的設計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰
- 隨著(zhù)云計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應商之一，也是全球少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商，提供先進(jìn)的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù)，以及廣泛的分立器件、門(mén)極驅動(dòng)器等周邊器件，滿(mǎn)足低
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動(dòng)電壓的分析及探討
- 隨著(zhù)制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē)，可再生能源及儲能等應用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類(lèi)電源應用提供更好的支持
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線(xiàn)架構中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應用。?貿澤電子分銷(xiāo)的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
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SiC MOSFET驅動(dòng)電壓測試結果離譜的六大原因
- _____開(kāi)關(guān)特性是功率半導體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時(shí)直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著(zhù)提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區別是它
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UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
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瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實(shí)現最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開(kāi)幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會(huì )，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內伙伴共話(huà)智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是電力電子、智能運動(dòng)、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
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UnitedSiC（現名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數的1200V第四代SiC FET
- 2022年5月11日移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）系列。
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo SiC 碳化硅 場(chǎng)效應管
Power Integrations推出汽車(chē)級IGBT/SiC模塊驅動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車(chē)以及建筑和農用電動(dòng)汽車(chē)提供強大動(dòng)力
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門(mén)極驅動(dòng)板。新款驅動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力和燃料電池汽車(chē)（包括巴士和卡車(chē)）以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車(chē)和牽引逆變器。SCALE EV板級門(mén)極驅動(dòng)器內部集成了兩個(gè)增強型門(mén)極驅動(dòng)通道、相關(guān)供電電源和監控遙測電路。新驅動(dòng)板已通過(guò)汽車(chē)級認證和ASIL B認證，可實(shí)現AS
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英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進(jìn)一步提高系統能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿(mǎn)足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統，如光伏逆變器。同時(shí)，這款芯片也是電動(dòng)汽車(chē)快充、儲能系統和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅動(dòng)電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時(shí)，隨著(zhù)柵極運行
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克服疫情，大灣區首臺全自動(dòng)化SiC動(dòng)態(tài)測試系統在北理汽車(chē)研究院交付
- _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學(xué)深圳汽車(chē)研究院交付了一臺全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統，此為今年度向客戶(hù)交付的第五臺SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統，亦是大灣區的首臺全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統。此系統集成了來(lái)自泰克的專(zhuān)門(mén)針對第三代半導體測試的硬件設備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個(gè)難題的挑戰。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會(huì )”上結成了全范圍的戰略合作聯(lián)盟，進(jìn)行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開(kāi)展全產(chǎn)業(yè)鏈的
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類(lèi)型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實(shí)現低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō)，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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羅姆SiC評估板測評：快充測試
- 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線(xiàn)測試1）空載測試驅動(dòng)空載輸出12V，gs驅動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動(dòng)信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動(dòng)信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設備
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
- 測試設備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電，又用于半橋母線(xiàn)電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動(dòng)④示波器觀(guān)察驅動(dòng)信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線(xiàn)上加上12V電
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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