UnitedSiC(現名Qorvo)宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場(chǎng)效應晶體管(FET)系列,這些產(chǎn)品在導通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線(xiàn)結構,這種結構常見(jiàn)于電動(dòng)車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、直流太陽(yáng)能逆變器、焊機、不間斷電源和感應加熱應用。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202205/434003.htm圖:TO-247-4L
UnitedSiC(即Qorvo)功率器件總工程師Anup Bhalla稱(chēng):“性能較高的第四代產(chǎn)品擴充了我們的1200V產(chǎn)品系列,讓我們能更好地服務(wù)于將總線(xiàn)設計電壓提高到800V的工程師。在電動(dòng)車(chē)中,這種電壓升高不可避免,而這些新器件有四個(gè)不同RDS(on)等級,有助于設計師們?yōu)槊總€(gè)設計選擇最適合的SiC產(chǎn)品?!?/p>
新UF4C/SC系列的亮點(diǎn)就在于下表中出色的SiC FET性能表征:
所有RDS(on)產(chǎn)品(23、30、53和70毫歐)都采用行業(yè)標準4引腳開(kāi)爾文源極TO-247封裝,在較高的性能等級下提供更清潔的開(kāi)關(guān)。53和70毫歐器件還采用TO-247 3引腳封裝。該系列零件在控制得當的熱性能基礎上實(shí)現了出色的可靠性,這種熱性能是先進(jìn)的銀燒結晶粒連接方式和先進(jìn)的晶圓減薄工藝帶來(lái)的結果。
FET-Jet CalculatorTM是一種免費的在線(xiàn)設計工具,包含了所有的1200V SiC FET,可以立即評估各種交直流和隔離/非隔離直流轉換器拓撲中所用器件的能效、組件損耗和結溫上升。它可以在用戶(hù)指定的散熱條件下比較單個(gè)器件和并聯(lián)的器件,從而得到最優(yōu)解決方案。
新1200V第四代SiC FET的定價(jià)(1000件起,FOB USA)從$5.71(UF4C120070K3S)到$14.14(UF4SC120023K4S)不等。所有器件都由授權經(jīng)銷(xiāo)商銷(xiāo)售。
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