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貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率,同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
- 關(guān)鍵字: 貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝,為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下,第四
- 關(guān)鍵字: UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC(現為 Qorvo)針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項,Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(cháng)的應用量身定制,能夠為在熱增強型封裝中實(shí)現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關(guān)鍵字: UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
SiC FET的起源及其向著(zhù)完美開(kāi)關(guān)發(fā)展的歷程

- 使用寬帶隙半導體作為高頻開(kāi)關(guān)為實(shí)現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是,碳化硅開(kāi)關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實(shí)施為SiC FET。本白皮書(shū)追溯了SiC FET的起源和發(fā)展,直至最新一代產(chǎn)品,并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書(shū)當然,接近完美的電子開(kāi)關(guān)已經(jīng)存在很長(cháng)一段時(shí)間了,但是我們這里要談的不是機械開(kāi)關(guān)?,F代功率轉換依賴(lài)的是半導體開(kāi)關(guān),它們最好在打開(kāi)時(shí)沒(méi)有電阻,在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無(wú)限大,并能在簡(jiǎn)單驅動(dòng)下以任意快的速度在開(kāi)關(guān)狀態(tài)間切換且沒(méi)有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
- 關(guān)鍵字: UnitedSiC SiC
有源前端整流器

- 介紹針對電動(dòng)汽車(chē)充電器的最佳SiC功率拓撲和調制決策的設計技巧,利用指導拓撲和調制決策,有助于消除不可行選項,轉而關(guān)注那些可能表現良好的選項。▎引言 ▎電動(dòng)汽車(chē)的蓄電池充電器需要在電網(wǎng)連接和蓄電池之間進(jìn)行電流隔離。因此,電動(dòng)汽車(chē)充電器幾乎總是有兩個(gè)級:一個(gè)高電能質(zhì)量整流器,將AC轉換為DC;然后是DC-DC轉換器,利用高頻變壓器進(jìn)行電流隔離。SiC FET和二極管的高開(kāi)關(guān)頻率可以滿(mǎn)足使用“舊的”和簡(jiǎn)單的電路拓撲的充電器要求,而這種拓撲在硅基開(kāi)關(guān)器件中是不切實(shí)際的。例如,用于單相整流的圖騰柱功率
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場(chǎng)提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案

- UnitedSiC(現名Qorvo)擴充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規格從23毫歐到70毫歐,現以TO247-4L(采用開(kāi)爾文連接)封裝提供,而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能,是不斷成長(cháng)的電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)向著(zhù)800V母線(xiàn)車(chē)載充電器(OBC)和直流轉換器邁進(jìn)過(guò)程中的理想選擇。與前幾代一樣,新FET也非常適合工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、光伏轉換
- 關(guān)鍵字: UnitedSiC
UnitedSiC(現名Qorvo)宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數的1200V第四代SiC FET

- 2022年5月11日移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場(chǎng)效應晶體管(FET)系列。
- 關(guān)鍵字: UnitedSiC Qorvo SiC 碳化硅 場(chǎng)效應管
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