英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進(jìn)一步提高系統能效

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿(mǎn)足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統，如光伏逆變器。同時(shí)，這款芯片也是電動(dòng)汽車(chē)快充、儲能系統和其他工業(yè)應用的理想選擇。

CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅動(dòng)電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時(shí)，隨著(zhù)柵極運行窗口的擴大，柵極能很好地耐受與驅動(dòng)器和布局相關(guān)的電壓峰值，即使在更高開(kāi)關(guān)頻率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技術(shù)，還可通過(guò)采用不同封裝使不同型號的產(chǎn)品實(shí)現更高功率密度，為設計工程師提供更多選擇，助力其提升應用性能。

Easy模塊可實(shí)現更高的功率密度

M1H將被集成到備受青睞的Easy系列中，以進(jìn)一步優(yōu)化Easy 1B和2B模塊。此外，英飛凌還將推出一款新產(chǎn)品，利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技術(shù)和增強Easy 3B模塊。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性，適用于廣泛的工業(yè)產(chǎn)品組合。采用M1H芯片，可顯著(zhù)降低模塊的導通電阻，讓設備更加可靠和高效。

CoolSiCTM MOSFET 1200V Easy 3B

此外，M1H芯片的最高結溫為175°C，具備更出色的過(guò)載能力，可實(shí)現更高的功率密度，同時(shí)擴展了系統安全工作區。與其前身M1芯片相比，M1H芯片實(shí)現了更低的內部柵極電阻（RG），這有利于輕松優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性。M1H芯片保持了其動(dòng)態(tài)特性。

具備超低導通電阻的分立式封裝

除了集成Easy模塊系列之外，CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H產(chǎn)品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝，導通電阻值極低，根據不同的型號分為7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10 V，改善了柵極電壓過(guò)沖和下沖，并且實(shí)現了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力，可以輕松用于產(chǎn)品設計。

CoolSiC^TM MOSFET 1200V TO247-3和TO247-4

以前在D2PAK-7L封裝中引入的英飛凌.XT互連技術(shù)，現在也可在TO封裝中實(shí)現。較之標準互連技術(shù)，其散熱能力提高了30%以上。這樣的散熱性能提升帶來(lái)了極大的裨益，可以將輸出功率提高多達15%。另外，它還能提高開(kāi)關(guān)頻率，進(jìn)一步減少諸如電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電、儲能或光伏系統等應用中所需的無(wú)源器件，從而提高功率密度并降低系統成本。.XT互連技術(shù)可降低SiC MOSFET結溫，而不改變系統運行條件，因此大大延長(cháng)了系統的使用壽命，提高了功率循環(huán)能力。這也是伺服驅動(dòng)器等設備的關(guān)鍵要求。

新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進(jìn)一步釋放SiC技術(shù)的應用潛力，在全球范圍內推動(dòng)清潔能源的開(kāi)發(fā)利用，并提高能源效率。

供貨情況

各種型號的模塊和單管產(chǎn)品現已開(kāi)放訂購。