羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

測試設備

①直流電源

由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電，又用于半橋母線(xiàn)電源。

②電子負載

半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。

③信號發(fā)生器

產(chǎn)生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動(dòng)

④示波器

觀(guān)察驅動(dòng)信號、輸出信號、MOS管的波形

⑤萬(wàn)用表

測量各測試點(diǎn)的電壓

⑥溫度巡檢儀

測量帶載后MOS管的溫度

測試拓撲

將說(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線(xiàn)上加上12V電壓源。

成果展示

由于時(shí)間匆忙，只使用DC12V母線(xiàn)電壓，100KHz的開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行測試。測試過(guò)程中沒(méi)有拍攝波形圖片，只是隨手記錄了一些測試結果，測試結果顯示：

1）SiC MOS管的溫升很低，150W輸出功率下，管子不需要散熱片

2）硬件死區時(shí)間設置非常好，比軟件可靠

3）各處波形更接近理想模型。

評估板試用感受

板子做的很精致，電路設計的也很用心，由于時(shí)間緊張沒(méi)有來(lái)得及與一般MOS管做對比，但是從我測試數據以及經(jīng)驗來(lái)說(shuō)，SiC MOS管確實(shí)比一般MOS管性能好很多，后對高要求設計中會(huì )優(yōu)先采用SiC MOS管。