EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sic
sic 文章 進(jìn)入sic技術(shù)社區
貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
- 關(guān)鍵字： 貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
- 關(guān)鍵字： 東芝 SiC MOSFET
安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠(chǎng)
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠(chǎng)的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶(hù)提供必要的供應保證，以滿(mǎn)足對基于SiC的方案迅速增長(cháng)的需求。SiC對于提高電
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅工廠(chǎng) SiC
UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(cháng)的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實(shí)現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 由于 SiC 具有更快的開(kāi)關(guān)速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無(wú)源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規模儲能變得越來(lái)越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長(cháng)遠的發(fā)展路向。隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)采用率的增加，充電樁將大規模部署，另外，SiC 最終還將成為電動(dòng)車(chē)主驅逆變器的首選材料，因為它可減少車(chē)輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長(cháng)電池使用壽命。安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
- 關(guān)鍵字： 202207 安森美 SiC
安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 受訪(fǎng)人：安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應用極限，開(kāi)關(guān)速度更快，導通電阻更低，損耗更小，能效更高?！ aN的開(kāi)關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
第三代半導體市場(chǎng)的“互補共生”
- 受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營(yíng)銷(xiāo)組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過(guò)去20年中設計了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？
- 關(guān)鍵字： TI 第三代半導體 GaN SiC
TrendForce：估今年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)破10億
- 為進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)動(dòng)力性能，全球各大車(chē)企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續推出了多款搭載相應產(chǎn)品的高性能車(chē)型。依TrendForce研究，隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠(chǎng)掌控，關(guān)鍵供貨
- 關(guān)鍵字： TrendForce SiC 功率組件
ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動(dòng)車(chē)
- SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車(chē)規級功率模塊「eMPack」，開(kāi)啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長(cháng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊
賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開(kāi)新的合作
- 賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開(kāi)展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長(cháng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車(chē)規級功率模塊“eMPack?”，開(kāi)啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽署
- 關(guān)鍵字： 羅姆 碳化硅 SiC 無(wú)線(xiàn)寬帶
SiC FET的起源及其向著(zhù)完美開(kāi)關(guān)發(fā)展的歷程
- 使用寬帶隙半導體作為高頻開(kāi)關(guān)為實(shí)現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開(kāi)關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實(shí)施為SiC FET。本白皮書(shū)追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書(shū)當然，接近完美的電子開(kāi)關(guān)已經(jīng)存在很長(cháng)一段時(shí)間了，但是我們這里要談的不是機械開(kāi)關(guān)?，F代功率轉換依賴(lài)的是半導體開(kāi)關(guān)，它們最好在打開(kāi)時(shí)沒(méi)有電阻，在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無(wú)限大，并能在簡(jiǎn)單驅動(dòng)下以任意快的速度在開(kāi)關(guān)狀態(tài)間切換且沒(méi)有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC SiC
破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
- SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統 Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開(kāi)關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測量的挑戰，稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動(dòng)電壓VGS的測量，包括兩個(gè)部分：開(kāi)關(guān)過(guò)程和Crosstalk。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測量的，這會(huì )導致設備和人員危險，同時(shí)還會(huì )由
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 柵極動(dòng)態(tài)測試 光隔離探頭
仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題
- 這篇微信文章，其實(shí)構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題。這篇微信文章，其實(shí)構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問(wèn)題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無(wú)法替代實(shí)驗，仿真只供參考。在展開(kāi)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC
安森美的VE-Trac SiC系列為電動(dòng)車(chē)主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
- 雙碳目標正加速推進(jìn)汽車(chē)向電動(dòng)化發(fā)展，半導體技術(shù)的創(chuàng )新助力汽車(chē)從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)車(chē)，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動(dòng)車(chē)的未來(lái)，如在關(guān)鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿(mǎn)足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著(zhù)深厚的歷史積淀，是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創(chuàng )新的VE TracTM Direct SiC
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC 逆變器
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [ 查看詳細 ]
sic研討會(huì )推薦
sic電路
sic相關(guān)帖子
sic資料下載
sic專(zhuān)欄文章
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473