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特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導體迎來(lái)爆發(fā)
- 去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開(kāi)售，其產(chǎn)品設計和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車(chē)型中，SiC 得到量產(chǎn)應用，這吸引了全球汽車(chē)廠(chǎng)商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車(chē)，可提高續航里程，對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸，乃至整個(gè)新能源汽車(chē)行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何？國內外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區別？未來(lái)發(fā)展面臨著(zhù)哪些挑戰？01、特斯拉 Model 3 首批
- 關(guān)鍵字： 特斯拉 Model 3 SiC
瑞薩電子推出新型柵極驅動(dòng)IC 用于驅動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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安森美與大眾汽車(chē)集團就下一代電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅(SiC)技術(shù)達成戰略協(xié)議，進(jìn)一步鞏固戰略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車(chē)集團 (VW)簽署戰略協(xié)議，為大眾汽車(chē)集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實(shí)現完整的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車(chē)型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
- 關(guān)鍵字： 安森美 大眾汽車(chē)集團 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 SiC
簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用
- 電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著(zhù)核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統、太空探索任務(wù)、深層石油開(kāi)采系統、飛機系統等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實(shí)現更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
- 關(guān)鍵字： 國晶微半導體 SIC
羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì )社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日立安斯泰莫”）用于其純電動(dòng)汽車(chē)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“EV”）的逆變器。在全球實(shí)現無(wú)碳社會(huì )的努力中，汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，在這種背景下，開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長(cháng)續航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動(dòng)汽車(chē)逆變器
意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？
- 現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高，更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車(chē)款將采用，預計在動(dòng)力、續航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅功率模塊 起亞 EV6 意法半導體 ACEPACK DRIVE
宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
- 汽車(chē)行業(yè)發(fā)展創(chuàng )新突飛猛進(jìn)，車(chē)載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數工程挑戰一樣，設計人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現代超結硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來(lái)提供解決方案。在追求性能的同時(shí)，對于車(chē)載產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可靠性也是一個(gè)重要的話(huà)題。在車(chē)載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來(lái)越多。對于汽車(chē)級高壓半導體功率器件來(lái)說(shuō)，門(mén)極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及，但事實(shí)是無(wú)論
- 關(guān)鍵字： Infineon OBC SiC
通過(guò)轉向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉換中的權衡問(wèn)題
- 高壓功率系統設計人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對持續創(chuàng )新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過(guò)，隨著(zhù)高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會(huì )在提高性能的同時(shí)，應對所有其他挑戰。 在過(guò)去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著(zhù)額定電壓為1700V的功率器件的推出，
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率轉換
安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴建，推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jì)，其三季度業(yè)績(jì)直線(xiàn)上揚，總營(yíng)收21.93億美元，同比增長(cháng)25.86%；毛利10.58億美元，同比增長(cháng)46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營(yíng)收為11.16億美元，同比增長(cháng)25.1%；高級解決方案組營(yíng)收7.34億美元，同比增長(cháng)19.7%；智能感知組營(yíng)收為3.42億美元，同比增長(cháng)44.7%，三大業(yè)務(wù)全線(xiàn)保持增長(cháng)。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統的I
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET
EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數字化發(fā)展
- 在最近召開(kāi)的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng )趨勢展望研討會(huì )上，來(lái)自英飛凌安全互聯(lián)系統事業(yè)部的汽車(chē)級WiFi/BT及安全產(chǎn)品應用市場(chǎng)管理經(jīng)理楊大穩以“英飛凌賦能未來(lái)汽車(chē)低碳化和數字化發(fā)展“為題，詳細介紹了英飛凌在汽車(chē)電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來(lái)趨勢。?新能源車(chē)是全球汽車(chē)市場(chǎng)增長(cháng)最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域，特別是在中國這個(gè)全球產(chǎn)銷(xiāo)第一的市場(chǎng)，2022年國有品牌汽車(chē)占據近一半的中國汽車(chē)市場(chǎng)份額，最大的驅動(dòng)力是來(lái)自于新能源車(chē)和電動(dòng)車(chē)?？梢灶A想，隨著(zhù)政府和車(chē)廠(chǎng)的支持，電動(dòng)車(chē)未來(lái)幾年會(huì )迎
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC 電動(dòng)汽車(chē) 無(wú)人駕駛
SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”
- 當前，全球主要國家和地區都已經(jīng)宣布了“碳達峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現的過(guò)程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且帶動(dòng)大量基礎設施建設，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異，但總體實(shí)現時(shí)間將較為接近。在中國，這個(gè)時(shí)間節點(diǎn)是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過(guò)節能+綠電的方式實(shí)現“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
- 關(guān)鍵字： Mouser SiC
碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現“萬(wàn)物電氣化”
- 綠色倡議持續推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車(chē)輛和飛機實(shí)現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動(dòng)和液壓系統，為機載交流發(fā)電機、執行機構和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類(lèi)解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著(zhù)的貢獻體現在其所肩負實(shí)現商用運輸車(chē)輛電氣化的使命上，這些車(chē)輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著(zhù)1700V金屬
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC 電源管理 可配置數字柵極驅動(dòng) 萬(wàn)物電氣化
士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片投片成功
- 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱(chēng)，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類(lèi)器件結構的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車(chē)主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶(hù)送樣。據了解，2017年12月1
- 關(guān)鍵字： 士蘭微 士蘭明鎵 SiC 功率器件
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
使用TI功能安全柵極驅動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 制造商競相開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(cháng)的車(chē)型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力，這樣可以延長(cháng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會(huì )影響系統熱性能，進(jìn)而影響系統重量、尺寸和成本。隨著(zhù)開(kāi)發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車(chē)的電機數量增加，以及卡車(chē)朝著(zhù)純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續要求降低系統功率損耗。過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著(zhù)半導體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管具有比IGBT更高
- 關(guān)鍵字： TI 功能安全 柵極驅動(dòng)器 SiC 逆變器
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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