UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo^?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。

在 650/750V 狀態(tài)下，第四代 UJ4C/SC 系列的 RDS(on) 為 9 毫歐姆 (mohm)，實(shí)現行業(yè)低水平，該系列的額定電阻為 9、11、18、23、33、44 和 60 豪歐姆。該廣泛選擇為工程師提供更多器件選項，支持更大的靈活性，以實(shí)現理想成本/效率平衡，同時(shí)維持豐富的設計裕量和電路穩健性。這些器件利用獨到的共源共柵 SiC FET 技術(shù)，其中，處于常開(kāi)狀態(tài)的 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，產(chǎn)生處于常閉狀態(tài)的 SiC FET，這些器件提供出色的 RDS x A 品質(zhì)因數，能夠最大限度減少小尺寸裸片中的傳導損失。

UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）總工程師 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封裝可減少緊湊內部連接回路中的電感，再加上附帶的開(kāi)爾文源連接，能夠實(shí)現低開(kāi)關(guān)損耗，支持更高的工作頻率，并提高系統功率密度。此外，這些器件采用銀燒結芯片貼裝，通過(guò)液體冷卻最大限度排出標準 PCB 和 IMS 基板上的熱量，因此熱阻非常低?！?/p>

采用 D2PAK-7L 封裝系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售價(jià)（1000 件起，美國離岸價(jià)）為 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通過(guò)授權經(jīng)銷(xiāo)商銷(xiāo)售。

如需進(jìn)一步了解 UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列如何提供行業(yè)先進(jìn)的性能品質(zhì)因數，降低傳導損失，提高更高速度時(shí)的效率，同時(shí)改善整體成本效率，請訪(fǎng)問(wèn) https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/。如需下載 Qorvo SiC FET 用戶(hù)指南副本，請點(diǎn)擊此處。