東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET^[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。

新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%^[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%^[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約20%^[5]，同時(shí)降低導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設備效率。

東芝將進(jìn)一步壯大其功率器件產(chǎn)品線(xiàn)，強化生產(chǎn)設施，并通過(guò)提供易于使用的高性能功率器件，努力實(shí)現碳中和經(jīng)濟。

?  應用：

-    開(kāi)關(guān)電源（服務(wù)器、數據中心、通信設備等）

-    電動(dòng)汽車(chē)充電站

-    光伏變頻器

-    不間斷電源（UPS）

?  特性：

-    單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）

-    低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）

-    低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V

?  主要規格：

注：

[1] 通過(guò)采用為第二代SiC MOSFET開(kāi)發(fā)的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開(kāi)發(fā)出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時(shí)降低JFET區域反饋電容的器件架構。

[2] MOSFET：金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管。

[3] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

[4] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。