世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。

GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。 GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的效能和高功率密度來(lái)實(shí)現電源轉換。其效能高于當今的硅基方案，輕松超過(guò)服務(wù)器和云端資料中心最嚴格的80+規范或 USB PD 外部適配器的歐盟行為準則 Tier 2標準。

由于GaN氮化鎵元件在高頻時(shí)，在導通與切換上仍有較佳的效能、可靠度高，也能促使周邊元件尺寸進(jìn)一步縮小，并提升功率密度; 因此在現今電源供應器的體積被要求要越來(lái)越輕巧，且效率卻不能因而降低的應用中，如電競電腦、電信通訊設備、資料中心服務(wù)器…等需要更好電源轉換效率的電源供應器應用，已有GaN氮化鎵功率元件開(kāi)始被導入。

?場(chǎng)景應用圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?標準線(xiàn)路圖

?核心技術(shù)優(yōu)勢

1. 兩個(gè)輸出驅動(dòng)器擁有獨立 UVLO 保護 2. 輸出電壓為 6.5V 至 30V，具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 閾值 3. 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收 4. 150 V/ns dV/dt 抗擾度 5. 36 ns 典型傳遞延遲 6. 8 ns 最大延遲匹配 7. 可編程輸入邏輯 8. 通過(guò) ANB 的單或雙輸入模式 9. 可編程死區時(shí)間 10. Enable功能 11. 隔離與安全 a. 從輸入到每個(gè)輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200 V峰值差分電壓 b. 1200 V工作電壓（根據VDE0884?11要求）

?方案規格

1. 雙低側、雙高側或半橋驅動(dòng)器 2. 輸出電源電壓為 6.5V 至 30V，具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 閾值 3. 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收