美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節點(diǎn)導入

三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。

芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。

此外，這個(gè)1γ工藝要更先進(jìn)，10nm級別的內存工藝中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前，三星及SK海力士都更早進(jìn)入了EUV節點(diǎn)，從去年底就開(kāi)始部署EUV光刻工藝了，而且比美光更激進(jìn)，最快在1a工藝節點(diǎn)就會(huì )量產(chǎn)EUV內存芯片。