三星外包低端光掩模，將資源集中在A(yíng)rF和EUV上

據 The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應商，例如 i-line 和 KrF。

與此同時(shí)，消息人士稱(chēng)，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進(jìn)，將成為增強三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。

據 Business Korea 援引消息人士的話(huà)稱(chēng)，三星正在加緊努力，用國產(chǎn)替代品取代依賴(lài)日本的 ArF 空白口罩。此外，該報告指出，三星還在努力將其他依賴(lài)日本的材料本地化，例如 EUV 薄膜。

與此同時(shí)，據報道，三星正在評估的 i-line 和 KrF 光掩模供應商包括日本凸版控股的子公司 Tekscend Photomask 和美國光掩模公司 Photronics 旗下的 PKL。報告指出，評估過(guò)程正在進(jìn)行中，據報道預計將在第三季度完成。

先進(jìn)節點(diǎn)開(kāi)發(fā)推動(dòng)光掩模需求增長(cháng)

據 The Elec 稱(chēng)，光掩模按波長(cháng)分類(lèi)，EUV 使用 13.5nm 波長(cháng)，這是目前最先進(jìn)的技術(shù)，能夠對最小的特征進(jìn)行圖案化。

隨著(zhù)芯片變得越來(lái)越先進(jìn)和電路圖形的縮小，所需的光掩模數量不斷增長(cháng)。例如，在邏輯芯片中，掩模數量預計將從 10nm 節點(diǎn)的 67 個(gè)增加到 1.75nm 節點(diǎn)的 78 個(gè)。正如 The Elec 所指出的，過(guò)去，DRAM 生產(chǎn)需要大約 30 到 40 個(gè)掩模，但現在這個(gè)數字超過(guò) 60 個(gè)。

The Elec 表示，韓國的光掩模市場(chǎng)價(jià)值約為 7000 億韓元，利用率超過(guò) 90%，中國無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體公司不斷增長(cháng)的需求正在推動(dòng)這一增長(cháng)。