三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進(jìn)技術(shù)

5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，其原理類(lèi)似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復制到相片上。

韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱(chēng)，三星電子正計劃將內存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。

據稱(chēng)，目前三星已啟動(dòng)供應商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠(chǎng)址位于京畿道），評估結果預計第三季度公布。

TheElec 報道稱(chēng)，三星準備將低端產(chǎn)品（i-line 365 納米、KrF 248 納米）進(jìn)行外包，內部?jì)H保留高端光掩模（ArF 193 納米、EUV 13.5 納米），原 i-line / KrF 資源轉向 ArF / EUV 研發(fā)。

報道稱(chēng)，三星決定將光掩模生產(chǎn)外包的原因有很多，主要是三星自家 i-line 和 Krf 設備已經(jīng)老化，且不再生產(chǎn)，因此很難找到替代設備；而且低端光掩模技術(shù)外泄風(fēng)險較低，三星更愿意集中力量沖擊高端制程建設。

隨著(zhù)半導體技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)，電路圖案越來(lái)越精細，生產(chǎn)流程中使用光掩模的數量也越來(lái)越多。例如 10nm 邏輯芯片需 67 張，而 1.75nm 預計需要 78 張；傳統DRAM 芯片需要 30-40 張，而現在最先進(jìn)的 DRAM 芯片需要 60 多張。況且，多重曝光技術(shù)也進(jìn)一步增加了光掩模所需數量。