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中國臺灣地震影響全球半導體業(yè) 一文看懂如何撼動(dòng)芯片供應鏈
- 3日早上7點(diǎn)58分左右，中國臺灣花蓮發(fā)生規模7.2地震，擾亂臺積電在內的公司營(yíng)運，臺積電對此表示，雖然部分廠(chǎng)區的少數設備受損并影響部分產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)，但主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無(wú)受損。許多外媒則示警，這凸顯了臺積電和全球芯片供應鏈處在地震的風(fēng)險與威脅之中。 根據《商業(yè)內幕》報導，這場(chǎng)7.2強震凸顯了全球芯片供應鏈和臺積電的脆弱性，臺積電是世界上最大的芯片制造商，全球大約90%的最先進(jìn)處理器芯片都是臺積電生產(chǎn)，而且中國臺灣也是小型芯片生產(chǎn)商的所在地。報導示警，如果大地震能夠擾亂臺積電，那么更具破
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High-NA EUV光刻機入場(chǎng)，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎；再到后來(lái)的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長(cháng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。
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ASML正計劃搬離荷蘭？向外擴張轉移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解
- 據路透社報道，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導，以確保ASML繼續在荷蘭發(fā)展。消息還稱(chēng)，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴張或遷移，法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對媒體稱(chēng)他們在考慮公司的未來(lái)，但沒(méi)有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭？憑借先天的地理位置及海港內陸網(wǎng)絡(luò )，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國家經(jīng)濟高度依賴(lài)國際貿易，2022年最新出口額占全國GDP之比超
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韓國芯片巨頭SK海力士計劃升級在華工廠(chǎng)
- 據韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關(guān)限制，對其中國半導體工廠(chǎng)進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著(zhù)半導體市場(chǎng)的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準備采取一切可以使用的方法來(lái)提高在華工廠(chǎng)制造工藝水平。韓國《首爾經(jīng)濟》13日的報道援引韓國業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，SK海力士計劃今年將其中國無(wú)錫工廠(chǎng)的部分動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)設備提升至第四代10納米工藝。對于“無(wú)錫工廠(chǎng)將技術(shù)升級”的消息，SK海力士方面表示“無(wú)法確認工廠(chǎng)的具體運營(yíng)計劃”。無(wú)錫工廠(chǎng)
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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ASML兩款光刻機出口許可被撤銷(xiāo)
- 1月2日，全球光刻機龍頭ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱(chēng)，荷蘭政府最近撤銷(xiāo)了此前頒發(fā)給其2023年發(fā)貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機的部分出口許可證，這將對ASML在中國內地的個(gè)別客戶(hù)產(chǎn)生影響。在聲明中，ASML表示：“在新的出口管制條例下，今年（指2023年）年底前ASML仍能履行已簽訂的合同，發(fā)運這些光刻設備?？蛻?hù)也已知悉出口管制條例所帶來(lái)的限制，即自2024年1月1日起，ASML將基本不會(huì )獲得向中國客戶(hù)發(fā)運這些設備的出口許可證?！鳖A計此次出口許可證撤銷(xiāo)及最新的美國出口管制限制不會(huì )對公司2023
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?ASML被禁止向中國運送其部分關(guān)鍵的芯片制造工具
- 半導體設備制造商ASML表示，荷蘭政府禁止其向中國出口部分工具。ASML表示，荷蘭政府最近部分撤銷(xiāo)了其N(xiāo)XT：2050i和NXT：2100i光刻系統在2023年裝運的許可證。在撤銷(xiāo)船舶許可證之前，美國政府在10月份加強了對中國先進(jìn)半導體和芯片制造工具的出口管制，并在此前的規定基礎上進(jìn)行了進(jìn)一步收緊。荷蘭公司ASML制造了制造世界上最先進(jìn)芯片所需的最重要機器之一。美國的芯片限制使包括ASML在內的公司爭先恐后地弄清楚這些規則在實(shí)踐中的含義。ASML公司該公司表示，荷蘭政府禁止其制造最先進(jìn)半導體的關(guān)鍵機器向中
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韓國總統到訪(fǎng)之際，ASML與三星達成7.52億美元的芯片廠(chǎng)協(xié)議
- 周二，荷蘭科技巨頭ASML和三星（Samsung）簽署了一項價(jià)值約7億歐元的協(xié)議，將在韓國建設一家半導體研究廠(chǎng)。與此同時(shí)，韓國總統尹錫悅（Yoon Suk Yeol）結束了這次以科技為重點(diǎn)的訪(fǎng)問(wèn)的第一天。尹錫悅是第一位到訪(fǎng)ASML高度安全的“無(wú)塵室”的外國領(lǐng)導人，這次到訪(fǎng)荷蘭的目的是在這兩個(gè)全球半導體大國之間結成“芯片聯(lián)盟”。他參觀(guān)了ASML的城市規模設施，該公司制造先進(jìn)的機器來(lái)制造半導體芯片，為從智能手機到汽車(chē)的一切提供動(dòng)力。ASML和三星后來(lái)同意“未來(lái)共同”投資該設施，該設施將“使用下一代EUV（極紫
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佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數”
- 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計劃將新型芯片制造設備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數，”現年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
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納米壓?。阂粋€(gè)「備胎」走向「臺前」的故事
- 佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導體制造設備。對于 2004 年就開(kāi)始探索納米壓印技術(shù)的佳能來(lái)說(shuō)，新設備的推出無(wú)疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個(gè)設備型號是 FPA-1200NZ2C，目前可以實(shí)現最小線(xiàn)寬 14nm 的圖案化，相當于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導體所需的 5 納米節點(diǎn)。佳能表示當天開(kāi)始接受訂單，目前已經(jīng)向東芝供貨。半導體行業(yè)可謂是「苦光刻機久已」，納米壓印設備的到來(lái)，讓期盼已久的半導體迎來(lái)一線(xiàn)曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)？這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機嗎？納米壓印走向臺前想要
- 關(guān)鍵字： 納米壓印 EUV 光刻機
EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個(gè)缺點(diǎn)
- 光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠（前者稱(chēng)正性光刻膠，后者稱(chēng)負性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對半導體供需穩定將會(huì )產(chǎn)生什么樣的影響，首先要了解的是大家經(jīng)常聽(tīng)到的 14 納米 DRAM、4 納米應用處理器等用語(yǔ)，要先說(shuō)明納米是什么意
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