臺積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)

該公司在研討會(huì )上介紹了 A14 工藝，稱(chēng)預計將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說(shuō)過(guò)，A16 工藝將于 2026 年底出現，也不需要高 NA EUVL 工具。

“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續保持類(lèi)似的復雜性，”據報道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會(huì )上說(shuō)。

這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實(shí)施一項計劃，以趕上半導體代工市場(chǎng)領(lǐng)導者臺積電和三星。英特爾是第一家獲得高數值孔徑 EUVL 工具的公司，并計劃在 2025 年開(kāi)始使用其 18A 制造工藝制造采用高數值孔徑 EUVL 的芯片。

一切都與價(jià)格標簽有關(guān)

臺積電延遲采用的一個(gè)關(guān)鍵原因可能是壟斷供應商 ASML Holding NV 對這些工具的極高價(jià)格標簽。據說(shuō)高 NA EUV 曝光機的價(jià)格約為 3.8 億美元，是上一代低 NA EUV 曝光機約 1.8 億美元的兩倍多。

TSMC 顯然已經(jīng)計算出，使用低 NA EUVL 的多重圖形化更具成本效益，并且在線(xiàn)停留時(shí)間略長(cháng)。此外，它將受益于使用當前一代設備的卓越、成熟的產(chǎn)量。

英特爾是否會(huì )堅持積極采用這項技術(shù)還有待觀(guān)察，因為它現在有一位新任首席執行官 Lip-Bu Tan，他對 Intel Foundry 的計劃尚未完全披露。

英特爾與臺積電

另?yè)蟮?，英特爾和臺積電已達成初步協(xié)議，成立一家合資企業(yè)來(lái)經(jīng)營(yíng)英特爾的芯片制造工廠(chǎng)。

譚告訴分析師，他最近會(huì )見(jiàn)了臺積電首席執行官 CC Wei 和臺積電創(chuàng )始人兼前董事長(cháng) Morris Chang?！癕orris 和 CC 是我非常老的朋友。我們最近還開(kāi)會(huì )，試圖找到我們可以合作的領(lǐng)域，這樣我們就可以創(chuàng )造一個(gè)雙贏(yíng)的局面，“Tan 在分析師電話(huà)會(huì )議上說(shuō)。

TSMC 的 A14 制造工藝的第一個(gè)實(shí)例沒(méi)有使用背面配電。一種名為 A14P 的變體，其背面配電將于 2029 年推出，隨后的高性能版本 A14X 可能是高數值孔徑 EUVL 的候選者。

即使英特爾和三星繼續采用高數值孔徑 EUVL 以在領(lǐng)先工藝中趕上臺積電，它們也面臨著(zhù)開(kāi)發(fā)成本。通過(guò)率先進(jìn)行這項開(kāi)發(fā)，他們可以為 TSMC 在認為采用具有成本效益時(shí)介入并使用高 NA EUVL 鋪平道路。