南亞科：明年DRAM市場(chǎng)穩健，Q1供貨仍吃緊

　　今年DRAM市場(chǎng)強勁成長(cháng)，南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續吃緊，DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)走勢穩健;展望2018，預期明年整體DRAM市場(chǎng)供需均衡且健康，市場(chǎng)將持續維持穩健。

　　隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)、高速運算等應用，促進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動(dòng)今年內存市場(chǎng)強勁成長(cháng)逾50%。

　　展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長(cháng)率在20%~25%，預估2018年需求將較2017年成長(cháng)23%，預期2018年DRAM市場(chǎng)將持續維持穩健的態(tài)勢。

　　2017年全球半導體市場(chǎng)預計大幅成長(cháng)20%，規模達4,111億美元，內存市場(chǎng)年成長(cháng)更高達57%，規模達1,260億美元，2017年內存市場(chǎng)營(yíng)收占半導體市場(chǎng)31%。

　　內存市場(chǎng)于2017年突破1200億美元規模，預估2017年DRAM市場(chǎng)成長(cháng)率67%，產(chǎn)值685億美元，預估2017年NAND Flash市場(chǎng)成長(cháng)率51%，產(chǎn)值535億美元，DRAM加NAND占內存市場(chǎng)總產(chǎn)值97%。

　　就內存產(chǎn)業(yè)資本支出來(lái)看，NAND資本支出持續大幅提升，以作為擴充3D NAND產(chǎn)能所需，相對而言，DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉換及維持原有月產(chǎn)能;南亞科預估，2018年DRAM位年成長(cháng)率20%~25%， 2018年下半起將有新增DRAM產(chǎn)能投入量產(chǎn)，NAND位年成長(cháng)率則達40%~45% ;預估2018年全球DRAM平均月產(chǎn)能將由2017年113.3萬(wàn)片微幅提升至2018年121萬(wàn)片，預期2018年DRAM市場(chǎng)供需均衡且健康。