Yole：供需失衡推動(dòng)存儲芯片價(jià)格上漲，市場(chǎng)年均增長(cháng)9%

　　存儲器行業(yè)正處于強勁增長(cháng)的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報告中預計，2016~2022年整個(gè)存儲器市場(chǎng)的復合年增長(cháng)率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動(dòng)存儲器半導體芯片價(jià)格上漲，導致存儲器IDM廠(chǎng)商獲得創(chuàng )紀錄的利潤!

　　存儲器的需求來(lái)自各行各業(yè)，特別是移動(dòng)和計算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言，每部智能手機的DRAM內存容量將增長(cháng)三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加5倍以上，預計到2022年將達到150GB以上。對于服務(wù)器來(lái)說(shuō)，預計到2022年DRAM存儲器容量將達到0.5TB以上，企業(yè)級市場(chǎng)SSD的NAND存儲器容量將高達5TB以上。這些市場(chǎng)的增長(cháng)驅動(dòng)力來(lái)自深度學(xué)習、數據中心、網(wǎng)絡(luò )、AR/VR和自動(dòng)駕駛。

　　智能手機和服務(wù)器的DRAM和NAND容量需求

　　通常使用低密度(low-MB)存儲器的汽車(chē)市場(chǎng)將會(huì )出現以自動(dòng)駕駛和車(chē)載信息娛樂(lè )為主導的DRAM內存的采用。此外，NOR閃存市場(chǎng)正在復蘇，預計將以驚人的16%復合年增長(cháng)率成長(cháng)，預計到2022年將達到44億美元，主要原因是其在如AMOLED顯示器、觸摸顯示驅動(dòng)器IC和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等新領(lǐng)域的應用。

　　在供應端方面，因為供應商的整合和技術(shù)挑戰造成先進(jìn)節點(diǎn)的推行較難，并且從2D轉移到3D NAND的過(guò)程中需要大量投資，所以導致DRAM和NAND存儲器供應的短缺。DRAM廠(chǎng)商希望維持較高的產(chǎn)品售價(jià)和盈利能力，以合理化他們在先進(jìn)節點(diǎn)遷移方面的巨額資本支出，因此傾向不會(huì )增加產(chǎn)能。

　　存儲器芯片使用多種封裝技術(shù)，從引線(xiàn)框架到硅通孔(TSV)

　　存儲器芯片的封裝有多種選擇，包括從引腳數少、外形小的SOP封裝到引腳數多的硅通孔(TSV)等各種封裝技術(shù)，而這些技術(shù)的選擇取決于密度、性能和成本等產(chǎn)品要求。Yole分析確定了五個(gè)核心存儲器芯片封裝平臺：引線(xiàn)框架、引線(xiàn)鍵合BGA、倒裝芯片BGA、晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)、硅通孔(TSV)。每種技術(shù)都包括許多不同的變化形式，并擁有不同的術(shù)語(yǔ)。我們預計2016~2022年整個(gè)存儲器芯片封裝市場(chǎng)的復合年增長(cháng)率為4.6%，2022年將超過(guò)250億美元。

　　存儲器芯片的封裝類(lèi)型

　　2016年，引線(xiàn)鍵合BGA占據存儲器芯片封裝市場(chǎng)的80%以上份額。同樣是在2016年，倒裝芯片BGA開(kāi)始進(jìn)入DRAM存儲器芯片封裝市場(chǎng)，預計未來(lái)五年將以20%的復合年增長(cháng)率成長(cháng)，將占據整個(gè)存儲器芯片封裝市場(chǎng)的10%左右市場(chǎng)份額。隨著(zhù)高帶寬需求的推動(dòng)，DRAM PC/服務(wù)器領(lǐng)域的應用日益增多，推動(dòng)了倒裝芯片市場(chǎng)的增長(cháng)。三星電子(Samsung)已經(jīng)將其90%以上的DRAM芯片封裝轉換為倒裝芯片，SK海力士也開(kāi)始轉型，其它廠(chǎng)商未來(lái)也都將逐步采用倒裝芯片。事實(shí)上，我們相信所有用于PC/服務(wù)器的DDR5存儲器最終都將使用倒裝芯片。

　　由于高帶寬和存儲器芯片對各種應用中的高性能計算的低延遲需求，硅通孔(TSV)正被用于高帶寬存儲器芯片中。2016年硅通孔(TSV)市場(chǎng)在存儲器芯片封裝市場(chǎng)中的份額不到1%，但是未來(lái)五年的復合年增長(cháng)率超過(guò)30%，預計到2022年，硅通孔(TSV)市場(chǎng)份額將達到8%。同時(shí)，晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)將被NOR閃存和利基市場(chǎng)的存儲器(EEPROMs / EPROM / ROM)采用，預計其復合年增長(cháng)率超過(guò)10%，不過(guò)到2022年，晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)市場(chǎng)份額還不到1%。

　　對于移動(dòng)應用，存儲器芯片封裝將主要維持在引線(xiàn)鍵合BGA平臺上，但是，將很快開(kāi)始向高端智能手機的多芯片封裝(ePoP)邁進(jìn)。NAND閃存芯片的主要要求是低成本的高存儲密度。NAND采用引線(xiàn)鍵合堆疊形式，以便在單個(gè)封裝中提供高密度。

　　NAND閃存芯片封裝將保持采用引線(xiàn)鍵合BGA形式，不會(huì )遷移到倒裝芯片。但是，東芝將開(kāi)始在NAND閃存芯片中使用硅通孔(TSV)來(lái)提高高端應用的數據傳輸速率。在東芝之后，我們相信三星電子和SK海力士將會(huì )推出硅通孔(TSV)封裝的NAND芯片。

　　存儲器芯片封裝的價(jià)值很高，主要被IDM“把控”

　　2016年存儲器芯片封裝市場(chǎng)規模約為200億美元。雖然許多外包半導體封裝測試廠(chǎng)商(OSAT)涉足存儲器芯片封裝業(yè)務(wù)，但是80%以上的封裝仍在存儲器芯片IDM廠(chǎng)商內部完成。全球領(lǐng)先的IDM廠(chǎng)商在封裝方面擁有相當豐富的知識，積累了多年的項目經(jīng)驗，并擁有強大的內部制造能力。

　　2016~2022年存儲器芯片封裝市場(chǎng)

　　OSAT廠(chǎng)商受到IDM廠(chǎng)商影響，在存儲器芯片封裝業(yè)務(wù)的機會(huì )有限。然而，許多中國廠(chǎng)商正在投入超過(guò)500億美元的資金進(jìn)入存儲器領(lǐng)域。與全球領(lǐng)先的IDM廠(chǎng)商不同，中國新興的廠(chǎng)商缺少存儲器芯片封裝的經(jīng)驗，他們將會(huì )把封裝業(yè)務(wù)外包給OSAT廠(chǎng)商。