三星260億美元的豪賭：想壟斷DRAM和NAND閃存市場(chǎng)

　　據外媒報道，經(jīng)過(guò)50年的發(fā)展，半導體市場(chǎng)仍然顯得非?；钴S，它在今年有望增長(cháng)20%。隨著(zhù)高增長(cháng)而來(lái)的是供應短缺，這就是DRAM和閃存價(jià)格為什么今年會(huì )上漲的原因。

　　三星在DRAM和閃存市場(chǎng)占有半壁江山。它計劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預算提到1.5倍，提高至260億美元。相對而言，英特爾在2017年的資本支出預算僅為120億美元，較2016年增長(cháng)了25%。事實(shí)上，三星的預算約為2017年三家大公司英特爾、臺積電和SK海力士的資本支出預算的總和。

　　三星的主要競爭對手現在面臨著(zhù)一個(gè)艱難的抉擇。它們要么提高資本支出預算，保障足夠的供應量，從而保有自己的市場(chǎng)份額，要么干脆放棄競爭，因為三星更高的產(chǎn)能將會(huì )產(chǎn)生別人難以企及的規模經(jīng)濟效應。

　　任何想要追趕三星的公司都面臨著(zhù)整個(gè)行業(yè)供給過(guò)剩、價(jià)格下滑以及虧損擴大的問(wèn)題。半導體工廠(chǎng)必須全負荷運行，才能維持最低的成本，只要價(jià)格能夠支付各種可變開(kāi)支和固定成本，那就值得繼續維持工廠(chǎng)運轉。

　　但是，如果它們不增加預算，提高產(chǎn)能，那么它們就可能面臨市場(chǎng)份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠對抗三星。英特爾幾十年前就退出了DRAM業(yè)務(wù)。

　　英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場(chǎng)上占有一席之地。但是，這一希望注定落空，因為它們決定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外，三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買(mǎi)或獲得授權使用與NVRAM競爭的技術(shù)。

　　對于消費者來(lái)說(shuō)，一個(gè)利好的消息是：在未來(lái)12-18個(gè)月內，我們應該會(huì )看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現。但是，從長(cháng)遠來(lái)看，我們可能會(huì )看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn)，減緩價(jià)格下降速度以及遏制競爭。