中國反壟斷機構關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

　　“一年翻了4倍，還在炒房?那你就虧了!”在知名的問(wèn)答平臺知乎上，圍繞近一年來(lái)PC內存條漲價(jià)的話(huà)題，網(wǎng)友這樣調侃，同時(shí)競相分享著(zhù)一年前后網(wǎng)購平臺的內存售價(jià)截圖，戲謔自己在購買(mǎi)內存條之路上的各種“走腎”經(jīng)歷。

　　自去年二季度起，DRAM(主要包括PC內存、移動(dòng)式內存、服務(wù)器內存)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收都在一路飆升，每個(gè)季度都在刷新銷(xiāo)售額紀錄。研究機構IC Insights預測，DRAM2017年全年市場(chǎng)規模增速將達到74%，而上一次這樣的盛景出現，還是在23年前。

　　與此同時(shí)，據集微網(wǎng)了解，過(guò)去幾個(gè)月不斷有終端廠(chǎng)商向發(fā)改委反映，據傳發(fā)改委近期已經(jīng)開(kāi)始關(guān)注產(chǎn)業(yè)的相關(guān)動(dòng)態(tài)，不排除未來(lái)對DRAM進(jìn)行調查以確定是否存在壟斷行為的可能。

　　圍繞著(zhù)此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無(wú)論是“供需論”還是“壟斷說(shuō)”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無(wú)奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監管者的警覺(jué)。

　　七季度連漲的背后

　　長(cháng)期以來(lái)，DRAM行業(yè)一直由三強把持。韓國的三星電子(以下簡(jiǎn)稱(chēng)三星)、SK海力士(以下簡(jiǎn)稱(chēng)海力士)以及美國的美光科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)美光)擁有該領(lǐng)域的絕對話(huà)語(yǔ)權，三者的座次也相對固定。2017年三季度數據顯示，這三家企業(yè)的營(yíng)收市占率分別為45.8%、28.7%和21.0%，共豪取九成份額。

　　集邦科技研究副總經(jīng)理郭祚榮認為，PC內存價(jià)格一路飆升背后，是三星、美光、海力士?jì)却鎻S(chǎng)商正經(jīng)歷一次較為一致的戰略轉變：它們紛紛將產(chǎn)能挪到利潤較高的服務(wù)器內存和行動(dòng)式內存業(yè)務(wù)，而PC內存會(huì )優(yōu)先滿(mǎn)足惠普、戴爾這類(lèi)大客戶(hù)的需求，并不在意現貨市場(chǎng)價(jià)格，所以就形成了這一輪價(jià)格瘋長(cháng)。

　　在這一過(guò)程中，三星和美光又相繼在高階PC DRAM產(chǎn)品良率上出現問(wèn)題，被迫召回這又使得PC DRAM市場(chǎng)供貨問(wèn)題雪上加霜。

　　在移動(dòng)終端領(lǐng)域，受惠與蘋(píng)果新機以及三星、華為等Android陣營(yíng)旗艦機型在下半年的陸續發(fā)布，大容量移動(dòng)式內存形成廣泛需求。同時(shí)由于數據中心的需求帶動(dòng)，以及AI等新技術(shù)的快速發(fā)展，對于高性能DRAM需求不斷增多，服務(wù)器內存領(lǐng)域也呈現出供給吃緊的態(tài)勢。

　　“一面是DRAM的產(chǎn)能沒(méi)有增加，一面是而應用端的需求在迅速增長(cháng)，供需不平衡導致了這一輪的漲價(jià)行情?！盙artner分析師盛凌海在接受記者采訪(fǎng)時(shí)指出。

　　近日，據臺灣DRAM相關(guān)廠(chǎng)商透露，三星、海力士陸續通知明年首季調漲DRAM售價(jià)3%-5%，這意味著(zhù)明年全球DRAM價(jià)格將繼續保持上揚態(tài)勢，而連續七季的上揚也將是歷來(lái)漲勢最久的一次。

　　這樣的局面將持續到明年上半年。根據Gartner的分析，從產(chǎn)能增加情況和市場(chǎng)需求的預測，明年上半年DRAM產(chǎn)品仍然會(huì )緊俏，下半年會(huì )達到供需平衡甚至倒轉，但在局部市場(chǎng)一季度就可能看到回落。

　　從目前情況看，三星、海力士開(kāi)始采取行動(dòng)來(lái)予以應對。如三星宣布計劃在平澤設廠(chǎng)擴建DRAM產(chǎn)能，SK海力士也宣布將在無(wú)錫設廠(chǎng)擴建DRAM產(chǎn)能，主流大廠(chǎng)的擴產(chǎn)計劃很有可能緩解持續上漲的走勢。

　　“由于海力士的生產(chǎn)線(xiàn)剛剛投建，預計產(chǎn)能釋放至少要在一年半以后，三星平澤的產(chǎn)線(xiàn)主要由NAND產(chǎn)線(xiàn)改造而來(lái)，在切換和投產(chǎn)上時(shí)間上應該相對較快，這也意味改變價(jià)格的因素掌握在三星手中?！惫駱s告訴記者。

　　予取予求三星“帶節奏”

　　1992年，三星超越日本NEC成為全球最大DRAM存儲制造商，此后的25年來(lái)，從未讓此殊榮旁落。

　　三星2017年的業(yè)務(wù)也異乎尋常地亮眼，絲毫沒(méi)有收到Note 7“炸機門(mén)”以及“太子門(mén)”等負面事件影響，其中，半導體業(yè)務(wù)成為運營(yíng)利潤的主要貢獻者。

　　三星最新的財報顯示，三星今年第三季度利潤翻倍，達到842億元，同比增長(cháng)達到了驚人的178.9%，創(chuàng )下最高記錄。其中，受益于全球芯片價(jià)格上漲，半導體部門(mén)三季度運營(yíng)利潤達9.96萬(wàn)億韓元(約合590.89億元人民幣)，占整體運營(yíng)利潤的近69%。

　　今年三星在半導體方面的投資高達260億美元，比英特爾、臺積電的總和還要多。IC Insights總裁Bill McClean指出，他關(guān)注半導體產(chǎn)業(yè)30多年來(lái)，從未看過(guò)如此積極的資本支出計劃，三星今年的支出規模，在半導體業(yè)界可說(shuō)是史無(wú)前例。

　　盡管三星目前釋放出擴建DRAM產(chǎn)能的消息，但并沒(méi)有透露擴建規模的相關(guān)計劃。從三星的戰略來(lái)看有未來(lái)有兩種可能，第一種，擴建的產(chǎn)能規模足夠填補當下需求缺口，那么將緩和本輪價(jià)格上漲趨勢;第二，計劃擴建更大產(chǎn)能，那么到明年下半年P(guān)C內存價(jià)格將呈下降走勢。

　　擁有絕對話(huà)語(yǔ)權和統治力的三星好比手里捏著(zhù)“倆王四個(gè)二”，一手好牌怎么打都能贏(yíng)。

　　一方面，三星可以維持產(chǎn)能繼續通過(guò)保持價(jià)位上漲趨勢持續獲得盈利，另一方面，也可以通過(guò)擴大產(chǎn)能，迫使海力士、美光等企業(yè)跟進(jìn)，限制競爭對手獲利空間，維持其在DRAM上的領(lǐng)先優(yōu)勢，此外，價(jià)格下降也可以給DRAM領(lǐng)域的新進(jìn)玩家帶來(lái)壓力和門(mén)檻，進(jìn)一步鞏固行業(yè)地位。

　　多名分析人士指出，DRAM行業(yè)的寡頭壟斷局面，并不利于DRAM產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。行業(yè)高度壟斷造成的結果，是前三巨頭可以輕易操縱產(chǎn)量和價(jià)格，用低價(jià)來(lái)擠垮競爭對手，或用漲價(jià)來(lái)謀取暴利。

　　2002年，三星和海力士、美光因同時(shí)涉及了 DRAM 的聯(lián)合操控價(jià)格和壟斷市場(chǎng)而被美國司法部起訴，在價(jià)格操控這一案中，三星被罰沒(méi)4.85 億美金。

　　“寡頭壟斷下的DRAM行業(yè)，將使價(jià)格競爭不復存在，企業(yè)逐利化加強，抑制創(chuàng )新活力，最終消費者成為待宰的羔羊?！币晃粯I(yè)內人士告訴記者。

　　如果三星與海力士在DRAM價(jià)格如此高企的時(shí)刻，開(kāi)始擴大產(chǎn)能，將在明年年底則會(huì )導致供求關(guān)系再次失衡，其深層原因在于為阻止那些被如今DRAM市場(chǎng)高額利潤吸引來(lái)的新進(jìn)入者，而明年年底，也正是中國存儲器廠(chǎng)商初步實(shí)現供貨的時(shí)間點(diǎn)。

　　中國DRAM廠(chǎng)商或面更多壓力

　　高端通用存儲器作為最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規模經(jīng)濟效益和先進(jìn)制造工藝的產(chǎn)品類(lèi)型之一，在集成電路產(chǎn)業(yè)中占據重要地位。存儲器和CPU一樣，是芯片領(lǐng)域的最大細分市場(chǎng)，同樣也是芯片領(lǐng)域的戰略制高點(diǎn)。目前在中國每年進(jìn)口的大量集成電路芯片中1/4為存儲器，這樣巨大的需求量，如果完全依靠海外供應，對于產(chǎn)業(yè)發(fā)展和信息安全保障，都是明顯的軟肋。

　　正是基于此，從2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》特別指出要發(fā)展新興存儲等關(guān)鍵芯片產(chǎn)業(yè)，到工信部印發(fā)的貫徹落實(shí)《國務(wù)院關(guān)于積極推進(jìn)“互聯(lián)網(wǎng)+”行動(dòng)的指導意見(jiàn)》行動(dòng)計劃(2015-2018年)中提出到2018年在海量存儲系統領(lǐng)域取得重大突破，毫無(wú)疑問(wèn)，面對常年“缺芯”的窘境，市場(chǎng)總額超過(guò)800億美元、卻幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口的存儲器已經(jīng)上升到國家意志的高度。

　　在政策的扶持以及地方政府的大力協(xié)助下，包括長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫和福建晉華在內的國內廠(chǎng)商去年開(kāi)始在陸續落地，邁出中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展道路上的關(guān)鍵一步。

　　但與行業(yè)巨頭相比，中國存儲器的發(fā)展還有很長(cháng)的一段路要走。手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，大陸存儲器企業(yè)想要與三星、海力士抗衡，至少還需要三到五年的時(shí)間，中國存儲器產(chǎn)業(yè)要崛起至少需要五到十年的時(shí)間。

　　尚處在“交學(xué)費”成長(cháng)階段的中國企業(yè)，還需面臨來(lái)自自身技術(shù)實(shí)力的突破以及競爭對手的挑戰。

　　“因為2018-2019年正是國內存儲產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)期，目前中國主要的DRAM廠(chǎng)商，長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫和福建晉華，預計在這個(gè)時(shí)間段初步實(shí)現量產(chǎn)。對于半導體這種高投入的產(chǎn)業(yè)，新進(jìn)入者必然是要虧損的，但在價(jià)格下行的階段進(jìn)入市場(chǎng)，意味著(zhù)付出更高成本?！惫駱s說(shuō)。

　　主流存儲器，不管是DRAM還是NAND，拼的都是先進(jìn)工藝和規模。從歷史上看，上世紀80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。但相對而言，DRAM產(chǎn)業(yè)依賴(lài)資金、人才與技術(shù)。我國大陸雖然資金寬裕，但欠缺關(guān)鍵技術(shù)，必須做好長(cháng)期虧損和持續投入的準備。同時(shí)，還要提防競爭對手從專(zhuān)利等方面設置障礙。近日美光便在美國起訴晉華，稱(chēng)其損害DRAM商業(yè)機密?？梢韵胍?jiàn)，在未來(lái)發(fā)展過(guò)程中，中國企業(yè)將會(huì )越來(lái)越多地直面競爭對手的挑戰。

　　郭祚榮表示，對于存儲器產(chǎn)業(yè)，一件商品的所有模塊和零部件都有著(zhù)嚴格的知識產(chǎn)權保護，打專(zhuān)利戰已經(jīng)是市場(chǎng)競爭的普遍手段。對于新進(jìn)入者，唯一能做的就是盡早量產(chǎn)，壯大自身實(shí)力把產(chǎn)品做好，才有資格和原廠(chǎng)談判。

　　盛凌海也表示，先做好自己的事，形成技術(shù)突破從而邁進(jìn)市場(chǎng)準入門(mén)檻，才有機會(huì )談競爭。