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第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成，全球DRAM營(yíng)收季增16.9%
- 集邦咨詢(xún)內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現再度創(chuàng )下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于客戶(hù)端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務(wù)器用內存第二季價(jià)格上漲逾一成，行動(dòng)式內存則因中國品牌手機廠(chǎng)下修出貨數量，價(jià)格僅小幅上漲5%內。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀(guān)察市場(chǎng)面，受惠于平均銷(xiāo)售單價(jià)的上揚與新制程的持續轉進(jìn)，大規模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn)，全球DRAM市場(chǎng)第二
- 關(guān)鍵字： DRAM NOR
IC Insights:今年全球IC分類(lèi)增長(cháng)排行,DRAM達55%
- 根據市場(chǎng)研究調查機構 IC Insights 的預估，2017 年全球 IC 市場(chǎng)可望成長(cháng)約 16%。 其中，在DRAM將成長(cháng)更將達 55%，將是 2017 年中成長(cháng)幅度最大的 IC 產(chǎn)品。 ? IC Insights 表示，DRAM 市場(chǎng) 2013 年與 2014 年分別成長(cháng) 32% 及 34%，也都是當年成長(cháng)最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。 統計過(guò)去 5 年，DRAM 市場(chǎng)經(jīng)常是成長(cháng)最大，或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項目，顯示 DRAM 市場(chǎng)變化極端的特性。 不過(guò)，DRAM 市
- 關(guān)鍵字： DRAM IC
背靠聯(lián)電的技術(shù)，晉華存儲DRAM實(shí)力能否殺出重圍？
- 在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬(wàn)片12吋內存晶圓、年產(chǎn)值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線(xiàn)一期項目開(kāi)工儀式。 據資料顯示，晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規劃面積594畝，預計于2018年9月達產(chǎn)。作為國家重點(diǎn)支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專(zhuān)項建設基金支持。 此項目堪稱(chēng)晉江所有重
- 關(guān)鍵字： 晉華存儲 DRAM
全球半導體2017年增速將達16%，其中10種產(chǎn)品增速可達兩位數
- ,世界半導體貿易統計組織(WSTS)將半導體分為33個(gè)大類(lèi)。近日，市場(chǎng)調研機構IC Insights給出了這33類(lèi)產(chǎn)品在2017年市場(chǎng)狀況的預期。 33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預計)如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價(jià)格異常出色，IC Insights預計2017年DRAM總銷(xiāo)售額同比增長(cháng)55%，從而成為半導體細分市場(chǎng)增長(cháng)率冠軍。問(wèn)鼎增長(cháng)率冠軍對DRAM市場(chǎng)而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)增長(cháng)。在過(guò)去5年，DRAM要么是增長(cháng)率
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
三星計劃調整Q4Mobile DRAM合約價(jià) 漲幅約10%
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠(chǎng)，計劃調漲第4季行動(dòng)式存儲器(Mobile DRAM)合約價(jià)，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。 存儲器業(yè)者強調，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強勁，加上網(wǎng)通類(lèi)產(chǎn)品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構，帶動(dòng)DRAM需求增加，但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限，前三大廠(chǎng)包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠(chǎng)，造成供貨緊縮，使平均銷(xiāo)售單價(jià)居高不下，
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三大內存罕見(jiàn)同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續供貨短缺，創(chuàng )下史上罕見(jiàn)同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存，更寫(xiě)下史上最長(cháng)漲勢。 內存業(yè)界表示，2008及2015年都出現過(guò)DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì )排擠，很少看到兩大內存同漲。 這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價(jià)格上漲，主要來(lái)自數據中心、移動(dòng)設備及計算機三大領(lǐng)域應用需求強，前三大廠(chǎng)包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠(chǎng)，造成供貨緊縮
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
2017年全球IC市場(chǎng)規模年增16% 成長(cháng)幅度創(chuàng )近年新高
- 隨著(zhù)DRAM與NAND Flash市場(chǎng)規模大幅成長(cháng)，調研機構IC Insights預估，2017年全球整體IC市場(chǎng)規模將較2016年大幅成長(cháng)16%，創(chuàng )下自2010年增33%以來(lái)，最佳年增紀錄。亦為2000年以來(lái)，第5度IC市場(chǎng)規模年增幅度達到雙位數百分比。 2017年全球DRAM市場(chǎng)規模將會(huì )年增55%，NAND Flash年增35%。不過(guò)該機構亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場(chǎng)大幅成長(cháng)的最主要因素，是來(lái)自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
半導體行業(yè)競爭激烈 國內半導體還需渡過(guò)哪些難關(guān)
- 過(guò)去兩年來(lái)，隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數據等應用的火熱發(fā)展，全球半導體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場(chǎng)，且下游需求良好，前景可期。 通盤(pán)來(lái)看，全球前十大半導體廠(chǎng)，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 國外對于中國半導體發(fā)展采取的措施 眾所周知，半導體行業(yè)的技術(shù)主要是來(lái)自于美日韓半導體廠(chǎng)商的，他們在半導體行業(yè)發(fā)展已有數十載，技術(shù)成熟，專(zhuān)利頗多，而對于中國近年內半導體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
DRAM 第三季度合約價(jià)持續攀高，七月漲幅約 4.6%
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價(jià)格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價(jià)來(lái)到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價(jià)亦來(lái)到27美元，亦有超過(guò)一成的漲幅。7月PC DRAM合約價(jià)持續上揚約4.6%，預估下半年價(jià)格將會(huì )維持小幅上漲態(tài)勢。 旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時(shí)序進(jìn)入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進(jìn)入傳統旺季，原本就呈現吃緊的DRAM市場(chǎng)更
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ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續四個(gè)季度上漲。 不過(guò)因為原廠(chǎng)紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂(yōu)心忡忡認為，未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長(cháng)江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠(chǎng)商也會(huì )加入戰場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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