EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
dram
dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內存
- IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(cháng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價(jià)格年內也不會(huì )
- 關(guān)鍵字： 海力士 三星 DRAM
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)原先預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時(shí)從合約價(jià)先行指標的現貨價(jià)格就可看出，現貨價(jià)已出現連續走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce
2025年HBM價(jià)格調漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%，至2025年占比有機會(huì )逾三成。2024年HBM
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
SK海力士計劃在清州M15X工廠(chǎng)新建DRAM生產(chǎn)基地
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長(cháng)，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì )批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠(chǎng)建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬(wàn)億韓元用于建設新工廠(chǎng)。該工廠(chǎng)計劃于4月底開(kāi)始建設，目標是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著(zhù)設備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長(cháng)期總投資將超過(guò)20萬(wàn)億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱(chēng)，M15X將成
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI DRAM
存儲大廠(chǎng)技術(shù)之爭愈演愈烈
- AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠(chǎng)技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠(chǎng)聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另?yè)I(yè)界預測，三星未來(lái)第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來(lái)，三星、鎧俠兩家廠(chǎng)商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
美光：預計臺灣地區地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個(gè)位數百分比影響
- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會(huì ) SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個(gè)位數百分比”的影響。美光在臺灣地區設有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據點(diǎn)。根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)此前報告，地震導致當時(shí)桃園產(chǎn)線(xiàn)上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無(wú)恙，設施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(cháng)期 DRAM 內存供應能力也沒(méi)有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產(chǎn)，但得
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 美光
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠(chǎng)商，以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
加注西安工廠(chǎng) 美光期待引領(lǐng)創(chuàng )芯長(cháng)安
- 怎么證明企業(yè)對某個(gè)市場(chǎng)的未來(lái)充滿(mǎn)信心？頻繁來(lái)華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷(xiāo)售預期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現誠意，對中國市場(chǎng)最有信心的表示當然是加大中國市場(chǎng)的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠(chǎng)房動(dòng)工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠(chǎng)價(jià)值43億元人民幣的擴建工程正式破土動(dòng)工，該項目是2020年以來(lái)國外半導體企業(yè)在國內最大的工廠(chǎng)投資建設工程。據悉，這個(gè)項目除了加建新廠(chǎng)房，還會(huì )引入全新產(chǎn)線(xiàn)，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動(dòng)DRAM、N
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱(chēng)現有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱(chēng)熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著(zhù) HBM
- 關(guān)鍵字： 三星 MR-RUF DRAM HBM
又一存儲大廠(chǎng)DRAM考慮采用MUF技術(shù)
- 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM MUF技術(shù)
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰悄然開(kāi)局
- 從目前公開(kāi)的DRAM（內存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠(chǎng)布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線(xiàn)寬來(lái)提高集成度
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲
美光內存與存儲是實(shí)現數字孿生的理想之選
- 據 IDC 預測，從 2021 年到 2027 年，作為數字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關(guān)鍵要素數字化并非一種全新概念，但數字孿生技術(shù)從精確傳感到實(shí)時(shí)計算，再到將海量數據轉為深度洞察，從多方面進(jìn)一步推動(dòng)了設備和運營(yíng)系統優(yōu)化，從而實(shí)現擴大規模并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。此外，啟用人工智能/機器學(xué)習 (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實(shí)現出色的整體設備效率 (OEE)。當我們了解了上述需求的復雜性和面臨的挑戰，就能意識到內存與存儲對于實(shí)現數字孿
- 關(guān)鍵字： 數字孿生 DRAM 機器學(xué)習
三星新設內存研發(fā)機構：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢
- 三星稱(chēng)其已經(jīng)在美國硅谷開(kāi)設了一個(gè)新的內存研發(fā)（R&D）機構，專(zhuān)注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。該機構將在設備解決方案部門(mén)美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營(yíng)，由三星設備解決方案部門(mén)首席技術(shù)官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過(guò)東芝以來(lái)，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠(chǎng)商，但仍需要不斷開(kāi)發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
- 關(guān)鍵字： 三星 內存 DRAM 芯片 美光
存儲器廠(chǎng)憂(yōu)DRAM漲勢受阻
- 韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場(chǎng)擔心稼動(dòng)率回升，破壞以往存儲器大廠(chǎng)減產(chǎn)提價(jià)共識，恐不利后續DRAM漲勢。觀(guān)察16日存儲器族群股價(jià)，包括鈺創(chuàng )、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等，股價(jià)跌幅逾2％，表現較大盤(pán)弱勢。惟業(yè)界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠(chǎng)產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進(jìn)制程升級，以滿(mǎn)足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執行長(cháng)郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
dram相關(guān)帖子
dram資料下載
dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473