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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
- 在本次展會(huì )上，東芯半導體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售，是目前國內少數可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪(fǎng)過(guò)東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會(huì )上帶來(lái)了全線(xiàn)的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關(guān)鍵字： 東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
通脹沖擊消費電子終端買(mǎi)氣，2022年DRAM模組廠(chǎng)營(yíng)收年減4.6%
- 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買(mǎi)氣影響，據TrendForce集邦咨詢(xún)統計，2022年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷(xiāo)售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠(chǎng)因供應的領(lǐng)域不同，使得各家營(yíng)收表現差異較大。TrendForce集邦咨詢(xún)統計，2022年全球前五大存儲器模組廠(chǎng)占整體銷(xiāo)售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場(chǎng)的96%營(yíng)業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營(yíng)收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場(chǎng)需求不佳，但基于Kingston品牌規模，加上完整的產(chǎn)品供應鏈，使得其營(yíng)收衰退幅度較小，僅衰
- 關(guān)鍵字： 消費電子 DRAM 模組
三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
存儲芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
- 關(guān)鍵字： NAND SSD DRAM
1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠(chǎng)商新一輪裝備競賽已拉開(kāi)帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿(mǎn)挑戰的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱(chēng)為 1β DRAM，而三星將其稱(chēng)為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標志著(zhù)美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲
面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略
- 面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略據韓國新聞媒體報道，隨著(zhù)拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節點(diǎn)能力來(lái)針對國內需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來(lái)10年內避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道，伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈，9 月繼續上漲。行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
為什么消費類(lèi)DRAM無(wú)法滿(mǎn)足工業(yè)應用需求？
- 消費類(lèi)DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類(lèi)DRAM 在工業(yè)應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類(lèi)DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險。固定BOM的重要性消費類(lèi) DRAM 模塊沒(méi)有固定的 BOM（物料清單）；這意味著(zhù)模塊中使用的材料可能會(huì )發(fā)生變化，而且經(jīng)常會(huì )在用戶(hù)未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶(hù)可能會(huì )在一月份訂購兩個(gè) DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個(gè)用于生產(chǎn)，但無(wú)法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
- 關(guān)鍵字： innodisk DRAM
美光訂價(jià)能力升 營(yíng)運露曙光
- 內存大廠(chǎng)美光即將于27日盤(pán)后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過(guò)。由于內存大廠(chǎng)近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉強，AI服務(wù)器需求尤為強勁，致使DRAM報價(jià)逐漸改善。美光財務(wù)長(cháng)Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價(jià)格有望于2023年下半轉強。美光營(yíng)運有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價(jià)從75美元調高到
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5 DRAM
存儲廠(chǎng)商持續減產(chǎn)，市場(chǎng)何時(shí)迎來(lái)供需平衡？
- 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場(chǎng)發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠(chǎng)陸續于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過(guò)，由于市場(chǎng)需求持續衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價(jià)格不斷下跌，廠(chǎng)商業(yè)績(jì)承壓。這一背景下，部分存儲廠(chǎng)商期望通過(guò)繼續減產(chǎn)維穩價(jià)格，推動(dòng)市場(chǎng)供需平衡。近日，臺灣地區《工商時(shí)報》等媒體報道，DRAM廠(chǎng)商南亞科將跟進(jìn)大廠(chǎng)減產(chǎn)策略，調整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調整產(chǎn)品組合和資本支出，根據客戶(hù)需求和市場(chǎng)變化動(dòng)態(tài)調整，以應對市場(chǎng)疲軟，預計產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調降20％以?xún)?。此前，全球市?chǎng)
- 關(guān)鍵字： 存儲廠(chǎng)商 DRAM TrendForce
3D DRAM 設計能否實(shí)現？
- 3D DRAM 的使用在未來(lái)或許是可能的。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM的變數
- 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來(lái)了好消息。TrendForce 集邦咨詢(xún)研究發(fā)布最新數據，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元，環(huán)比增長(cháng) 20.4%，終結連續三個(gè)季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風(fēng)向標，止跌是大家喜聞樂(lè )見(jiàn)的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數，又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據 TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
- 關(guān)鍵字： DRAM
美光 1-gamma 制程內存預計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)
- IT之家 9 月 4 日消息，據臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長(cháng)盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據悉，美光現在只有在臺中有 EUV 的制造工廠(chǎng)，1-gamma 制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，日本廠(chǎng)未來(lái)也會(huì )導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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