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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據官方介紹，美光 2021 年實(shí)現 1α 工藝批量出貨，現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱(chēng)，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過(guò) 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著(zhù) LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時(shí)，消
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SK海力士：未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng )新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過(guò)驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺上使用，該內存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過(guò)了自身在今年3月創(chuàng )下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實(shí)了在內存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來(lái)全球移動(dòng)內存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動(dòng)設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce：存儲器廠(chǎng)聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新服務(wù)器相關(guān)報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL 1.1規格，而該規格可先實(shí)現的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無(wú)處不在：從手機和汽車(chē)到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng )建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著(zhù)芯片特征變得更小，現有材料可能無(wú)法在所需厚度下實(shí)現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％
- 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導致第四季DRAM價(jià)格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠(chǎng)仍將著(zhù)重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
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集邦：明年DRAM需求位成長(cháng)8.3％創(chuàng )新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(cháng)
- 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(cháng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠低于供給位成長(cháng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢下仍相當嚴峻，價(jià)格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求，但價(jià)格下跌應有助于搭載容量提升。從各類(lèi)應用來(lái)看，高通膨持續沖擊消費市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，加上通路銷(xiāo)售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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美光車(chē)規級內存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗
- 全球汽車(chē)內存領(lǐng)先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車(chē)規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應用于理想汽車(chē)最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車(chē)型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統（ADAS）實(shí)現最高L4級自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統還集成了美光車(chē)規級LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶(hù)提供出色的娛樂(lè )和用
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DRAM 內存加速降價(jià)，6 月報價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng ) 1 年半新低
- IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià)，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內存連續 2 個(gè)月下跌。指標產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng )出 1 年半以來(lái)新低。從作為指標的 8GB DDR4 內存來(lái)看，6 月報價(jià)約 2.7 美元每個(gè)，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內存約為 2.18 美元 / 個(gè)，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來(lái)的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
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DRAM能否成為半導體市場(chǎng)預測晴雨表？
- 在今年Gartner的半導體市場(chǎng)分析報告中指出，從歷史角度來(lái)看，存儲市場(chǎng)一直規律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場(chǎng)存在一個(gè)供不應求的情況，使得價(jià)格上漲，但在2022年下半年會(huì )恢復并且進(jìn)入供過(guò)于求的周期，這個(gè)周期會(huì )導致存儲市場(chǎng)價(jià)格的整體下滑。下面我們來(lái)具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問(wèn)題導致消費市場(chǎng)向下修正 俄烏戰爭打破歐洲和平局面，導致能源價(jià)格大幅提升，整體社會(huì )的消費水平降低，企業(yè)和消費者會(huì )減少很多不必要的開(kāi)支。早在4月底，美國商務(wù)部公布的數據顯示，美國一季度G
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潛力無(wú)限的汽車(chē)存儲芯片
- 隨著(zhù)智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車(chē)芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車(chē)半導體含量約為燃油車(chē)2倍，智能車(chē)為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車(chē)芯片，2035年增長(cháng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車(chē)芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢?jiàn)芯片將成為汽車(chē)新利潤增長(cháng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅動(dòng)力?！ ∑?chē)芯片從應用環(huán)節可以分為5類(lèi)：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模約52億美元，國內汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模
- 關(guān)鍵字： 北京君正 兆易創(chuàng )新 DRAM NAND
美光面向數據中心客戶(hù)推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺發(fā)展
- 關(guān)鍵優(yōu)勢：● 隨著(zhù) CPU 內核數量不斷增加，改進(jìn)后的內存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內存密集型工作負載[4]● DDR5 的創(chuàng )新架構改進(jìn)和模組內建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統整體運行性能 內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
- 關(guān)鍵字： 美光 數據中心 DRAM DDR5
中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長(cháng)鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場(chǎng)預計，2021年全球存儲市場(chǎng)規模將達1620億美元，增長(cháng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場(chǎng)主要被韓國、歐美以及
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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