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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
新型存儲器技術(shù)未來(lái)將主導存儲器市場(chǎng)
- 存儲器主導著(zhù)許多SoC，我們很少聽(tīng)說(shuō)某個(gè)設計包含太多的存儲器。然而，存儲器消耗了大部分的系統功耗，雖然這對于許多系統可能不是關(guān)鍵問(wèn)題，但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設備而言，總功耗是非常重要的。 幾乎所有系統的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構已經(jīng)籌劃了很長(cháng)時(shí)間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內人士認為臨界點(diǎn)已然將近。 過(guò)去50年中，SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結構的主力，FLASH最近幾年也在加入了“戰場(chǎng)”。所有這些存儲結構在往較小的幾何結構縮放的
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并購ISSI獲DRAM技術(shù) 兆易創(chuàng )新前路何在？
- 兆易創(chuàng )新借助ISSI在DRAM方面的技術(shù)是有可能實(shí)現一定程度的進(jìn)口替代，如果進(jìn)一步出臺政策支持存儲芯片的生產(chǎn)與銷(xiāo)售，在國內的DRAM市場(chǎng)分到一杯羹。
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng )新 DRAM
臺媒：大陸2025年IC自主目標恐難達成 海外技術(shù)取得成關(guān)鍵
- 中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場(chǎng)，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴(lài)海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”(MIC 2025)計劃，目標到了2020年達到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標，到了2025年更要達到7成水準。不過(guò)市調機構IC Insights分析認為，這項目標恐難達成，而技術(shù)落差也成為現階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 國家層級IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 根據IC Insights報導指出，現實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)
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國內存儲器項目建設火熱 亟需制定預警機制
- 存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來(lái)看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)周期波動(dòng)的產(chǎn)業(yè)，同時(shí)也是一個(gè)高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長(cháng)江存儲國家存儲器基地正式開(kāi)工建設，同時(shí)福建晉華和合肥長(cháng)芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設當中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動(dòng)和不確定性，以及長(cháng)期大投入、高風(fēng)險特性，研究認為，盡快建立并完善行業(yè)定期監測分析和預警機制，無(wú)論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。 存儲
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DRAM強漲 金士頓：將缺貨一整年
- 內存市況今年持續看好，據SEMI半導體協(xié)會(huì )預估，內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(cháng)17.8%，成為半導體產(chǎn)業(yè)恢復強勁成長(cháng)的主要推手，不少相關(guān)業(yè)者表示，缺貨情況將再延續半年，第2季有機會(huì )呈現小漲走勢。 DRAM報價(jià)從2016年第4季成功終止連續下跌8季的低潮，開(kāi)始展開(kāi)強勁的反彈，迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測大廠(chǎng)力成(6239)董事長(cháng)蔡篤恭口徑一致指出，至少還要再缺貨半年，內存模塊大廠(chǎng)金士頓更直說(shuō)，DRAM將缺貨一整年。 應用多元需求走強 臺灣金士頓
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DRAM市場(chǎng)所向披靡 三星穩坐存儲霸主寶座
- 雖然現在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認，其地位依然很強勢。強大的半導體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來(lái)三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機，雖然導致其智能手機業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補，直到現在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場(chǎng)的老大，依然有價(jià)格主導權利。 不管是PC業(yè)務(wù)還是手機業(yè)務(wù)未來(lái)日子不好過(guò)的情況下，唯獨DRAM內存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內存開(kāi)始缺貨，甚至漲價(jià)，據了解，DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知，
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DRAM市場(chǎng)所向披靡 三星穩坐存儲霸主寶座
- 雖然現在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認，其地位依然很強勢。強大的半導體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來(lái)三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機，雖然導致其智能手機業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補，直到現在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場(chǎng)的老大，依然有價(jià)格主導權利。 不管是PC業(yè)務(wù)還是手機業(yè)務(wù)未來(lái)日子不好過(guò)的情況下，唯獨DRAM內存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內存開(kāi)始缺貨，甚至漲價(jià)，據了解，DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。眾所周知，由于
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2020年63%智能手機采用8GB RAM
- 智能手機屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移動(dòng)DRAM的需求，讓三星、海力士等韓國兩大存儲器廠(chǎng)錢(qián)景一片看好。 TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange周日發(fā)布報告預測，第一季DDR雙通道存儲器芯片報價(jià)今年第一季有望成長(cháng)10-15%，為前一季3-7%的兩倍多，反映市場(chǎng)供給吃緊的程度。 智能手機功能越來(lái)越多元，高分辨率的大屏幕手機更有賴(lài)于高密度DRAM模組驅動(dòng)，如此才能實(shí)現類(lèi)似PC的“多線(xiàn)程工作”。據傳，三星今年推出的Galaxy S8手機其中一款
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美光預投1,300億未來(lái)規劃中科擴廠(chǎng)計劃
- 中國臺灣地區經(jīng)濟部工業(yè)局昨(17)日首度證實(shí)，全球DRAM大廠(chǎng)美光預計在臺投資新臺幣1，300億元，未來(lái)將落腳中部科學(xué)園區進(jìn)行擴廠(chǎng)計劃，預計將增加逾2千個(gè)就業(yè)機會(huì )。據悉，美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測制程，預估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區營(yíng)運中心。 工業(yè)局表示，去年協(xié)助美光在臺擴大投資，總投資金額高達新臺幣1，300億元，也就美光擴大投資所需土地、廠(chǎng)房、資金等提供協(xié)助，未來(lái)規劃中科擴廠(chǎng)計劃，將可增加2，000個(gè)以上就業(yè)機會(huì )，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。
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工序失衡！2017 DRAM內存缺貨/漲價(jià)繼續蔓延
- 從2016年下半年開(kāi)始，內存、閃存的缺貨漲價(jià)勢頭開(kāi)始上揚，2017年這一局面將繼續擴散蔓延，而且一整年都未必會(huì )有改觀(guān)。 據臺灣經(jīng)濟日報報道，內存大廠(chǎng)金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內存大廠(chǎng)都沒(méi)有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長(cháng)潘建成也強調，NAND閃存因為進(jìn)入3D世代，制程良率無(wú)法提升，預計將缺貨一整年。 日前，金士頓董事長(cháng)陳建華出席群聯(lián)竹南三廠(chǎng)上梁典禮時(shí)，針對DRAM內存市場(chǎng)進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠(chǎng)都沒(méi)有增產(chǎn)計劃
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為什么說(shuō)中國必須建設本土存儲產(chǎn)業(yè)
- 在長(cháng)江存儲，晉華項目和合肥長(cháng)鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開(kāi)建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過(guò)中國為什么要投入那么多錢(qián)去做這個(gè)建設?，F在我通過(guò)一個(gè)事實(shí)告訴你原因?，F在在存儲產(chǎn)業(yè)，基本是韓國廠(chǎng)商的天下，而隨著(zhù)設動(dòng)設備的火熱，各種設備的爆發(fā)，市場(chǎng)對存儲的需求日增，于是帶來(lái)了存儲產(chǎn)品的缺貨問(wèn)題，進(jìn)而導致了漲價(jià)。 拜DRAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚之賜，部分分析師預測南韓兩大存儲廠(chǎng)三星與SK海力士，今年半導體營(yíng)業(yè)利潤可能年增5成，來(lái)到史無(wú)前例的25兆韓圓。 存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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大陸存儲器的戰略布局
- 長(cháng)江存儲成立后，大陸在這個(gè)階段于半導體的宏觀(guān)布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規模經(jīng)濟不足導致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當然是原因之一，但不是全部。 回歸基本面來(lái)看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟效益也高度依賴(lài)摩爾定律。DRAM 在很長(cháng)的一段時(shí)間里是半導體業(yè)的驅策技術(shù)(driving technology)，也就是說(shuō)DRAM的制程領(lǐng)導其它的半導體制程前進(jìn)。半導體的先
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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