大陸存儲器的戰略布局

　　長(cháng)江存儲成立后，大陸在這個(gè)階段于半導體的宏觀(guān)布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規模經(jīng)濟不足導致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當然是原因之一，但不是全部。

　　回歸基本面來(lái)看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟效益也高度依賴(lài)摩爾定律。DRAM 在很長(cháng)的一段時(shí)間里是半導體業(yè)的驅策技術(shù)(driving technology)，也就是說(shuō)DRAM的制程領(lǐng)導其它的半導體制程前進(jìn)。半導體的先行者AT&T、Intel都曾投入這產(chǎn)業(yè)，日本90年代的半導體霸業(yè)、臺灣、韓國的半導體產(chǎn)業(yè)崛起，都與DRAM息息相關(guān)。如果不健忘的話(huà)，臺灣的DUV、CMP、12寸廠(chǎng)等先進(jìn)技術(shù)都是由DRAM廠(chǎng)率先引入。

　　在2000年初后，邏輯與NAND的制程進(jìn)展相繼超越DRAM，DRAM失去了其驅策技術(shù)的地位。邏輯制程持續往平面微縮的方向前進(jìn)，能見(jiàn)度到3奈米，還有3、4個(gè)世代可行;NAND往3D堆疊走，這個(gè)方向能走多遠尚未可知，但是短時(shí)間內碰不到物理極限，是比較技術(shù)面可克服的問(wèn)題。邏輯的平面制程微縮與NAND的3D堆疊同時(shí)是未來(lái)半導體業(yè)的驅策技術(shù)，大陸作為后發(fā)者選擇最近才興起、后面發(fā)展道路長(cháng)的驅策技術(shù)投入，是比較合理的做法。至于DRAM，已于20奈米久滯，雖然仍有機會(huì )繼續緩慢推進(jìn)到10奈米，但其制程技術(shù)主要是針對DRAM，很難嘉惠于其它產(chǎn)品，戰略性比較不足。

　　所以大陸選擇3D NAND重新出發(fā)，3D的制程技術(shù)還有機會(huì )應用到其它產(chǎn)品，譬如3D MRAM。至于研發(fā)的規模經(jīng)濟，由其所投資相應的生產(chǎn)規模來(lái)看，如果有盈余的話(huà)，是有機會(huì )支撐持續的自主研發(fā)的。剩下來(lái)的問(wèn)題是NAND的技術(shù)靈不靈?大陸NAND的技術(shù)授權引入研發(fā)已有好幾年了，以前的表現頗有波折，就連二維平面NAND的生產(chǎn)也稱(chēng)不上順利?，F在要當成主要的產(chǎn)品并結合3D制程，恐是個(gè)有點(diǎn)高風(fēng)險的選擇!