從四個(gè)方面看中國存儲芯片崛起的艱難

　　昨日，總投資300億人民幣的紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地和總投資300億人民幣的子港國際城項目正式開(kāi)工。這是紫光集團繼長(cháng)江存儲項目之后的另一個(gè)大“動(dòng)作”。據報道，紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團投資建設，主要產(chǎn)品為3D-NAND Flash、DRAM存儲芯片，占地面積為1500畝。其中項目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片。。

　　但外媒對這一動(dòng)作感到疑惑。因為從他們早前的分析看來(lái)，就算是武漢新芯項目，似乎也沒(méi)有足夠的技術(shù)來(lái)支持存儲芯片制造。紫光這次想通過(guò)南京的項目來(lái)主導全球存儲產(chǎn)業(yè)，似乎并不能一蹴而就，當中還需要有很多的障礙需要跨越。首當其沖的就是有經(jīng)驗的存儲芯片工程師的缺乏和美國CFIUS因所謂的安全問(wèn)題將中國拒之門(mén)外。

　　而根據新浪科技早期的報道，趙偉國在月前的一個(gè)慶典上說(shuō)到：“在剛過(guò)去的2016年，我們在武漢打造了一個(gè)存儲基地。進(jìn)入2017，我們將會(huì )在南京和成都再建設兩個(gè)半導體制造基地。這三個(gè)項目的總投資總額將超過(guò)700億美金，清華紫光在未來(lái)將主導芯片制造業(yè)”。

　　分析師認為，紫光集團的這個(gè)投資速度是非常驚人，但他們也指出，建設一個(gè)晶圓廠(chǎng)是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的事情，而需要面臨的則是運營(yíng)問(wèn)題，尤其是在制造更復雜的3D NAND Flash上，紫光集團面對的困難也是空前的。

　　對半導體有深入研究，并寫(xiě)過(guò)基本關(guān)于日本半導體發(fā)展的書(shū)的作者Takashi Yunogami曾經(jīng)對武漢新芯的3D NAND Flash項目有些許懷疑。但最近他改變了看法，他告訴我們，從材料和設備供應商與中國的合作中他能看出，或許會(huì )有新的轉機。

　　那么究竟中國建設存儲項目需要面對那些方面的問(wèn)題呢?我們來(lái)一一分析。

　　工程師短缺

　　Yunogami表示，中國正在全球掀起一場(chǎng)對有天賦工程師和制造NAND Flash設備的爭端戰。而同樣的事情也在中國本土發(fā)生，不同的省市也在掀起了Fab工廠(chǎng)合作的競爭。

　　在分析中國存儲制造技術(shù)相關(guān)方面之前，我們先看一下中國有哪些正在崛起的存儲供應商。

　　在IC Insights副總裁Brian Matas早期的報告中我們看到，現在中國存儲領(lǐng)域有三個(gè)主要的競爭者，分別是：

　　(1)2016年7月，紫光集團收購了武漢新芯，并建立了一個(gè)叫長(cháng)江存儲的合資公司。這個(gè)12寸晶圓廠(chǎng)將聚焦在3D NAND Flash的生產(chǎn)，至于具體的量產(chǎn)時(shí)間，還沒(méi)有披露。

　　(2)合肥SKT項目，預估在2017年底建造一個(gè)DRMA FAB;

　　(3)福建晉華項目，準備打造DRAM Fab，預估在2018年第三季度量產(chǎn);

　　而據我們得知，在以上三個(gè)項目中，合肥的SKT項目已經(jīng)停止運營(yíng)了。這個(gè)由爾必達前CEO Yukio Sakamoto建立的公司，曾經(jīng)嘗試從日本、臺灣和韓國招募1000個(gè)存儲相關(guān)的工程師，以彌補中國在有經(jīng)驗的存儲開(kāi)發(fā)工程師的不足，Sakamoto更是想從日本尋找180個(gè)能夠遷到中國來(lái)工作的工程師，但這個(gè)提議遭到了合肥當地政府的反對，因為他們不愿意滿(mǎn)足Sakamoto提出的，給這些資深工程師多付887，000美元工資。

　　盡管SKT的承諾超過(guò)了半導體行業(yè)的正?，F象，但這也給了中國半導體人一些新的方向。一個(gè)能夠籠絡(luò )工程師去保持他們Fab繼續運行的方法。

　　在上個(gè)月的一次采訪(fǎng)中，有個(gè)工程師跟我們說(shuō)，中國不但需要考慮專(zhuān)利短缺的問(wèn)題，中國更需要明晰隱藏在專(zhuān)利背后的制造訣竅。甚至連怎么安排wafer的的存儲都是需要慎重對待的問(wèn)題。例如這些經(jīng)驗并不能通過(guò)獲得，而要通過(guò)不懈的學(xué)習。

　　而在設備方面，長(cháng)江存儲方面表示，他們現在用的半導體設備和三星在西安工廠(chǎng)所使用的是一樣的(三星的西安工廠(chǎng)只制造32層的NAND Flash，64層的NAND Flash是在韓國本土制造)。Yunogami也認同這種觀(guān)點(diǎn)。

　　但Yunogami進(jìn)一步指出，雖然長(cháng)江存儲能買(mǎi)到同樣的設備，但他們缺少有經(jīng)驗的人去操作這些設備。

　　總有方法去解決這些問(wèn)題?？v觀(guān)存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史，中國可以向韓國學(xué)習，而這也是中國正在做的事情。

　　我們認為，對于長(cháng)江存儲來(lái)說(shuō)，首先要做的事就是從三星西安這些公司挖角晶圓廠(chǎng)操作工人。之后可以從三星和SK海力士挖一些高級的工程師。再看能夠從美光和東芝獲取一些相關(guān)的技術(shù)信息。這是紫光解決問(wèn)題的方法之一。

　　根據Yunogami介紹，韓國存儲以前在追趕日本DRAM的時(shí)候，用過(guò)同樣的方法。

　　是個(gè)世紀90年代，三星花費重金從日本招聘DRAM工程師。當時(shí)那些工程師可以保留白天的工作，而可以在晚上或者周末為三星服務(wù)。通過(guò)這些兼職工作，工程師們能獲得高額的報酬。就是通過(guò)這種方式，三星逐漸發(fā)展其了其DRAM產(chǎn)業(yè)。

　　而二十多年后的今日，韓國受到了當初日本的對待。雖然中國并沒(méi)有韓國當初那么瘋狂，但沒(méi)有什么方法可以組織長(cháng)江存儲招聘來(lái)自西安三星的工程師。

　　相關(guān)進(jìn)展

　　據之前的報道，長(cháng)江存儲計劃斥資240億美元打造一個(gè)12寸的晶圓廠(chǎng)，第一期工程在2016年底就開(kāi)啟了，并計劃在2019年完成。而報道中更是指出，長(cháng)江存儲的產(chǎn)能高達20萬(wàn)片每個(gè)月，而主要的生產(chǎn)產(chǎn)品則是32層的NAND FLASH。

　　長(cháng)江存儲武漢基地的建設布板

　　Yunogami堅信長(cháng)江存儲已經(jīng)取得了不錯的進(jìn)展。這主要是通過(guò)深度研究Spansion的Mirror-Bit技術(shù)實(shí)現的(最早是為Nor設計的，但后來(lái)三星將其應用到NAND上)。而長(cháng)江存儲在去年底完成了第一次和第二次的3D NAND Flash測試。根據Yunogami所說(shuō)，第一次測試是在12月中完成的，但當時(shí)的結果不盡如人意。之后的第二次測試的產(chǎn)品則可以執行全規格的運行。但至于具體的進(jìn)展如何，我們也實(shí)在不得而知。

　相關(guān)的任務(wù)標語(yǔ)

　　談?wù)勫X(qián)的問(wèn)題

　　老實(shí)說(shuō)，在中國追逐存儲國產(chǎn)化的國產(chǎn)中，有一件事是我不能了解的。那就是既然長(cháng)江存儲正在處于初級發(fā)展階段，為什么紫光集團那么急切地在另一個(gè)地方投資了下一個(gè)工廠(chǎng)。這個(gè)決定出乎了很多國外專(zhuān)家乃至中國本土專(zhuān)家的所料。

　　在文中開(kāi)頭我們提到，紫光集團和南京政府達成了一個(gè)合作。

　　而根據媒體的報道，紫光集團更是計劃在四川程度建一座邏輯工藝的晶圓廠(chǎng)，而這家廠(chǎng)的預估產(chǎn)能是50萬(wàn)片一個(gè)月。究竟是什么原因推動(dòng)紫光集團去瘋狂的建廠(chǎng)?

　　中國三大存儲基地

　　美國的資深半導體老兵對中國這個(gè)存儲布局的評價(jià)是——這令我們很頭疼。

　　從中國現在資金投入來(lái)看，基本上是中央放出來(lái)一筆基金，然后各地的地方政府和私人資本開(kāi)始介入，然后三方通力合作，打造半導體產(chǎn)業(yè)鏈。而在這些合作中，不同城市和省份之間也會(huì )競爭，誰(shuí)都想成為最先成功的一個(gè)。

　　美國的相關(guān)分析師認為，長(cháng)江存儲的武漢項目并沒(méi)有預期中的進(jìn)展那么好，政府方面有所怨言，因此紫光面臨巨大的經(jīng)濟壓力。所以紫光需要從其他城市尋求幫助。

　　與此同時(shí)，我們需要知道，TSMC在去年三月也和南京政府簽訂了一個(gè)12寸晶圓建廠(chǎng)協(xié)議。專(zhuān)家們指出，TSMC雖然表現得和南京政府和左右很大熱情，但在工廠(chǎng)規模上，并沒(méi)有達到南京政府的需求。為了被武漢擊敗，所以南京政府選擇和紫光集團合作。

　　可能面臨的風(fēng)險

　　中國在過(guò)去幾年的半導體建設最終會(huì )引致一個(gè)結局，那就是產(chǎn)能過(guò)剩。

　　去年，IC Insights的Matas寫(xiě)到，現在在追逐3D NAND Flash的產(chǎn)能的公司有三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/閃迪和長(cháng)江存儲。還有一些可能加入戰局的中國制造商。

　　Matas表示，未來(lái)3D NAND將會(huì )面臨各方面的風(fēng)險。

　　雖然業(yè)界認為未來(lái)五年工業(yè)界會(huì )發(fā)生很重要的轉變，并會(huì )帶來(lái)很強大的存儲需求，但如果中國的存儲布局能夠順利進(jìn)行，那么最后必將會(huì )面對差能過(guò)剩的風(fēng)險。

　　有人指出，對于中國的這些投資我們應該抱有一種什么樣的態(tài)度，究竟是應該感謝他們致力于打破三星的壟斷，給我們帶來(lái)更多的選擇，還是該批判他們這種行為?

　　這位專(zhuān)家海指出，中國想通過(guò)存儲切入半導體產(chǎn)業(yè)鏈，這或許是一個(gè)錯誤的選擇。因為存儲上面投資的金額實(shí)在太大了。每一代技術(shù)的投資成本都數十億美元。這對中國來(lái)說(shuō)是一個(gè)很大的冒險。

　　投資無(wú)數的錢(qián)在一個(gè)未知結果的領(lǐng)域，面臨的壓力是可想而知的。