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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
三星制定DRAM發(fā)展藍圖 15納米是制程微縮極限
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂(yōu)三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒 etnews 18 日報導，業(yè)界消息稱(chēng)，三星去年開(kāi)始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開(kāi)發(fā)小組，目標最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從 20 納米制程(28→25&rar
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韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍圖、15nm是制程微縮極限？
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂(yōu)三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒etnews 18日報導，業(yè)界消息稱(chēng)，三星去年開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開(kāi)發(fā)小組，目標最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從20納米制程(28→25→20)，轉進(jìn)10納米制程(18&rarr
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DDR4將首度超越DDR3 2017年占整體DRAM58%
- 第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷(xiāo)售額在整體DRAM存儲器總銷(xiāo)售額中的占比不斷成長(cháng)。尤其是隨著(zhù)2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷(xiāo)售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調研機構IC Insights預估，隨著(zhù)如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷(xiāo)售額占比將會(huì )揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過(guò)去6年DDR3占比持續維持第
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM
機構:DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì )開(kāi)始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì )在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著(zhù) NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠(chǎng)商大量投入生產(chǎn)的結果，在產(chǎn)能陸續開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢，開(kāi)始出現下跌的情況。 Gart
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IC Insights :DRAM價(jià)格下半年要下滑
- IC Insights 對DRAM后市提出示警，預期下半年隨著(zhù)供給增加，產(chǎn)品價(jià)格恐將下滑，DRAM 市場(chǎng)無(wú)可避免將展開(kāi)周期性修正。 IC Insighta 指出，DRAM 價(jià)格自 2016 年中以來(lái)快速走高，據統計，DRAM 平均售價(jià)已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。 在產(chǎn)品價(jià)格大漲帶動(dòng)下，IC Insights 預估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達 573 億美元規模，將較去年成長(cháng)達 39%。 IC Insight
- 關(guān)鍵字： DRAM
高啟全：長(cháng)江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺灣DRAM教父高啟全轉戰大陸紫光集團操盤(pán)存儲器大計劃超過(guò)1年，日前晉升長(cháng)江存儲的執行董事、代行董事長(cháng)，接受DIGITIMES獨家專(zhuān)訪(fǎng)公開(kāi)未來(lái)規劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開(kāi)發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì )在技術(shù)開(kāi)發(fā)具競爭力后才開(kāi)始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì )對長(cháng)江存儲有利! 長(cháng)江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現階段長(cháng)江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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集邦咨詢(xún)：美光圍堵，無(wú)礙中國DRAM研發(fā)進(jìn)程
- 近日，有媒體報道美國存儲器大廠(chǎng)在臺灣地區采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！ ∈袌?chǎng)更是傳出，美光這一行動(dòng)已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠(chǎng)商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠(chǎng)設置的試產(chǎn)線(xiàn)停產(chǎn)?！ 〔贿^(guò)，4月5日，聯(lián)電方面對外表示，確實(shí)有員工收到了訴訟通知，但只是個(gè)人行為，與公司無(wú)關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開(kāi)發(fā)階段，尚無(wú)試產(chǎn)線(xiàn)，并無(wú)外傳試產(chǎn)線(xiàn)暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計劃也將持續不變?！ 「鶕钭稍?xún)觀(guān)察，近年來(lái)，中國
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！
- 內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規格制定工作已經(jīng)開(kāi)始，計劃明年定稿。 據悉，用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執行效率也更高。 同時(shí)，針對智能手機以及筆記本電腦等對續航有更高要求的設備，還會(huì )推出低電壓版的LPDDR5內存。 雖然看起來(lái)DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時(shí)代將在DDR4生命周期結束時(shí)謝幕。 分析師認為，DDR5會(huì )首先被應用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì )逐漸向下普及。但
- 關(guān)鍵字： DDR5 DDR4
DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！
- 內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規格制定工作已經(jīng)開(kāi)始，計劃明年定稿。 據悉，用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執行效率也更高。 同時(shí)，針對智能手機以及筆記本電腦等對續航有更高要求的設備，還會(huì )推出低電壓版的LPDDR5內存。 雖然看起來(lái)DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時(shí)代將在DDR4生命周期結束時(shí)謝幕。 分析師認為，DDR5會(huì )首先被應用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì )逐漸向下普及。但
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IC Insights：存儲器市場(chǎng)前景好，DRAM、NAND報價(jià)調升兩倍
- DRAM、NAND 快閃存儲器價(jià)格漲不停，促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長(cháng)預估調升兩倍。 IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長(cháng) 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。 IC Insights 現在預期今年 DRAM 銷(xiāo)售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長(cháng) 25%，隨著(zhù)報價(jià)走揚，未來(lái)兩者都還有進(jìn)一步上修的可能。 IC Insights 指出
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
2015年大陸貢獻全球IC需求29%,供給僅4%
- 2013年，中國從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導體，進(jìn)口金額首度超越石油，也促成了中國「半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導體需求量，但中國能自己供應的比重僅有4%。 中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長(cháng)。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠(chǎng)的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠(chǎng)」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設備業(yè)等幾個(gè)字
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場(chǎng)供貨吃緊仍沒(méi)改善
- 自 2016 年中開(kāi)始，DRAM 內存供貨不足，造成市場(chǎng)價(jià)格全面上漲的情況，如今又要多加一個(gè)變量。 那就是 DRAM 內存的市場(chǎng)龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續召回部分序號的 18 奈米制程的內存模塊，并且再重新出貨給客戶(hù)之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠(chǎng)在 DPPM (每百萬(wàn)臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內存模塊都有類(lèi)似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
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