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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
TrendForce：服務(wù)器DRAM模組供不應求，Q1報價(jià)看漲25%
- 市場(chǎng)調查機構TrendForce最新報告預測，服務(wù)器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報價(jià)可能攀升至少25%。 2017年第一季初，服務(wù)器DRAM模組已較前一季同期漲價(jià)逾25%，部份高密度產(chǎn)品合約價(jià)漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門(mén)檻，16GB模組也來(lái)到100美元。 TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現，服務(wù)器DRAM模組報價(jià)看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續漲價(jià)。除此之外，服務(wù)器制造業(yè)者因擔心價(jià)格持續走揚而提前
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM供貨吃緊 創(chuàng )淡季漲幅最高紀錄
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續2016下半年的價(jià)格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價(jià)最高已超過(guò)25美元，季漲幅超過(guò)三成，為DRAM史上首個(gè)在傳統淡季下仍能維持強勢漲價(jià)的季度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據現已成交的合約看來(lái)，2017年第一季標準型內存價(jià)格持續攀高，平均漲幅接近三成，服務(wù)器內存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過(guò)200美元
- 關(guān)鍵字： DRAM
一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內存單元
- 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內存單元，能夠顯著(zhù)降低動(dòng)態(tài)隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態(tài)的內存單元，無(wú)需刷新操作;兼容于現有晶圓廠(chǎng)的制造設備，也無(wú)需任何新的材料或工藝?！ ∠噍^于一般的DRAM，VLT內存數組能節約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元，以及驅動(dòng)更長(cháng)行與列的能力，使其得以大幅提升內存數組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢，就必須在依據產(chǎn)業(yè)標準發(fā)展的成熟DR
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紫光蓋全球最大3DNAND廠(chǎng),暫時(shí)不涉足DRAM
- 大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠(chǎng)，為全球存儲器市場(chǎng)投下一顆震撼彈。 半導體設備業(yè)透露，紫光集團由旗下長(cháng)江存儲公司負責推動(dòng)這項計畫(huà)。紫光集團暨長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開(kāi)端，也創(chuàng )下由國家戰略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運作的新合作模式。 由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng )紀錄
- 根據ICInsights報道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長(cháng)的好年景以后，2015年全球存儲器市場(chǎng)陷入困境。無(wú)論是供應商合并、產(chǎn)能控制還是新型應用頻出等過(guò)去認為是利好的事情，都沒(méi)有拯救2015年的存儲器市場(chǎng)。個(gè)人電腦市場(chǎng)的低迷導致存儲器庫存過(guò)多，從而在2015年下半年出現了價(jià)格暴跌，2015年存儲器銷(xiāo)售額最終為780億美元，同比下降了3%。 這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開(kāi)始情況發(fā)生了變化，存儲器價(jià)格開(kāi)始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于
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嚴防技術(shù)泄露 DRAM三大廠(chǎng)向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
- 全球三大DRAM廠(chǎng)三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(cháng)鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 半導體人士透露，三大DRAM廠(chǎng)強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂(lè )見(jiàn)DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進(jìn)而打破，三大廠(chǎng)采取法律制約員工跳槽的行動(dòng)，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問(wèn)題再擴大，明年再現飆漲
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
IC Insights：2017年全球存儲器市場(chǎng)同比增長(cháng)10%
- 在經(jīng)歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長(cháng)的好年景以后，2015年全球存儲器市場(chǎng)陷入困境。無(wú)論是供應商合并、產(chǎn)能控制還是新型應用頻出等過(guò)去認為是利好的事情，都沒(méi)有拯救2015年的存儲器市場(chǎng)。個(gè)人電腦市場(chǎng)的低迷導致存儲器庫存過(guò)多，從而在2015年下半年出現了價(jià)格暴跌，2015年存儲器銷(xiāo)售額最終為780億美元，同比下降了3%。 這種頹勢延續到了2016年上半年，但從2016年下半年開(kāi)始情況發(fā)生了變化，存儲器價(jià)格開(kāi)始變得異常堅挺，而且持續到了2016結束。但由于上半年跌價(jià)太狠，IC Insi
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
力晶黃崇仁：2017年DRAM市況非常好
- 力晶執行長(cháng)黃崇仁20日出席臺灣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)協(xié)會(huì )成立大會(huì )時(shí)表示，明年存儲器市況不錯，但力晶沒(méi)有到大陸生產(chǎn)存儲器的計劃;同時(shí)他發(fā)表傳出前中華電信董事長(cháng)蔡力行要去紫光看法，他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會(huì )去挖臺積電的墻角。 20日市場(chǎng)傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團，協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠(chǎng)，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀(guān)察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會(huì )去挖臺積電的墻角。 由于力晶已經(jīng)前進(jìn)大陸合肥在當地蓋12吋晶圓代工廠(chǎng)合晶，目前廠(chǎng)房已經(jīng)蓋好，明年將進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
華亞科被高薪挖角 大陸存儲點(diǎn)燃DRAM主導權大戰
- 中國大陸紫光集團長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著(zhù)三大體建廠(chǎng)計劃預定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。 長(cháng)鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠(chǎng)DRAM設計公司相關(guān)人員，構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長(cháng)鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預定第一期在合肥空港經(jīng)濟示范區興建第一座12吋晶圓廠(chǎng)，明年7月動(dòng)工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。 大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM
SK海力士開(kāi)發(fā)出10納米級DRAM 與三星拉近差距
- 傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動(dòng)10奈米級DRAM量產(chǎn)，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產(chǎn)10奈米級DRAM的半導體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術(shù)研發(fā)，同時(shí)著(zhù)手開(kāi)發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團隊，持續追求更高的技術(shù)競爭力。 據韓媒ET News報導，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫(huà)名稱(chēng)的1x奈米DRAM即將正式量產(chǎn)。其目前已完成客戶(hù)樣品生產(chǎn)，正進(jìn)行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠(chǎng)正式量
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華亞科被高薪挖角 大陸存儲點(diǎn)燃DRAM主導權大戰
- 中國大陸紫光集團長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著(zhù)三大體建廠(chǎng)計劃預定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。 長(cháng)鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠(chǎng)DRAM設計公司相關(guān)人員，構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長(cháng)鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預定第一期在合肥空港經(jīng)濟示范區興建第一座12吋晶圓廠(chǎng)，明年7月動(dòng)工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。 大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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SK海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開(kāi)發(fā)完成后，SK 海力士將繼續研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開(kāi)發(fā)代號設為 Alius，已準備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認證。 半導體認證通常需將過(guò)工程試樣(Engineering sample)與客戶(hù)端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過(guò)客戶(hù)測試后，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)才算完成。據報
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開(kāi)發(fā)完成后，SK 海力士將繼續研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開(kāi)發(fā)代號設為 Alius，已準備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認證。 半導體認證通常需將過(guò)工程試樣(Engineering sample)與客戶(hù)端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過(guò)客戶(hù)測試后，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)才算完成。據報
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美光重心押注臺灣 3D DRAM封測廠(chǎng)和華亞科擴建案投資達千億
- 美光全數收購華亞科股權，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國臺灣地區擴大投資案，包括3D DRAM封測廠(chǎng)和華亞科擴建案，估計總投資金額上看千億元新臺幣。 美光已網(wǎng)羅前艾克爾總經(jīng)理梁明成出任負責美光存儲器后段封測廠(chǎng)投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執行長(cháng)鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預料將同步宣布相關(guān)人事及擴大在臺投資布局。 這也是美光繼在大陸西安廠(chǎng)之后，在海外最大手筆的封測投資計劃，美光也借由邀請包括臺灣桃園市長(cháng)鄭文燦及經(jīng)濟部長(cháng)等相
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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