工序失衡！2017 DRAM內存缺貨/漲價(jià)繼續蔓延

　　從2016年下半年開(kāi)始，內存、閃存的缺貨漲價(jià)勢頭開(kāi)始上揚，2017年這一局面將繼續擴散蔓延，而且一整年都未必會(huì )有改觀(guān)。

　　據臺灣經(jīng)濟日報報道，內存大廠(chǎng)金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內存大廠(chǎng)都沒(méi)有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長(cháng)潘建成也強調，NAND閃存因為進(jìn)入3D世代，制程良率無(wú)法提升，預計將缺貨一整年。

　　日前，金士頓董事長(cháng)陳建華出席群聯(lián)竹南三廠(chǎng)上梁典禮時(shí)，針對DRAM內存市場(chǎng)進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠(chǎng)都沒(méi)有增產(chǎn)計劃，而且將主要產(chǎn)能轉移生產(chǎn)3D NAND閃存，造成DRAM內存供需短缺。

　　值得一提的是，三星是這波DRAM內存價(jià)格上漲的主要推手。目前，三星超過(guò)7成產(chǎn)能已經(jīng)被蘋(píng)果以及自家手機、大陸的OPPO/vivo瓜分，能供應給其它品牌的十分有限，其產(chǎn)能轉型為成長(cháng)速度最快的3D NAND閃存。

　　其它廠(chǎng)家也有跟進(jìn)，但良品率都不及三星，讓三星有資格和能力主導價(jià)格調整，以彌補其N(xiāo)ote 7手機停產(chǎn)造成的損失。

　　除了DRAM內存工序失衡外，相關(guān)PCB板材料短缺，也是價(jià)格上漲的因素之一。