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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋(píng)果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠(chǎng)需求仍十分強勁，但零售市場(chǎng)買(mǎi)氣不振，模塊廠(chǎng)拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來(lái)，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋(píng)果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠(chǎng)陷入僵局。 近期大陸因為亞運因素，
- 關(guān)鍵字： Apple NAND Flash
第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠(chǎng)營(yíng)收排行
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩定上揚及產(chǎn)出持續增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(cháng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠(chǎng)商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬(wàn)美元，較首季43億6,300萬(wàn)美元成長(cháng)約9.5%。 三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠(chǎng)之冠 從市場(chǎng)面觀(guān)察，由于第二季 DRAM 合
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
Hynix公司宣稱(chēng)已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存
- 南韓內存廠(chǎng)商Hynix公司日前宣布已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠(chǎng)生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節點(diǎn)后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤(pán)等的NAND閃存容量則將大有增長(cháng)。 ? Hynix Cheong-ju M11工廠(chǎng) Hynix公司稱(chēng)首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷(xiāo)售。Hynix公司雖然不是I
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 20nm
日本半導體企業(yè)1Q財報喜憂(yōu)參半
- 日本半導體廠(chǎng)2010年度第1季(4~6月)財報表現明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內存事業(yè)表現亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 東芝半導體事業(yè)的營(yíng)業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長(cháng)村岡富美雄表示，受惠于蘋(píng)果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動(dòng)，加上 NANDFlash均價(jià)跌幅趨緩，東芝半導體事業(yè)表現遠超過(guò)預期。小幅虧損的系統芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
VLSI提高半導體預測 但CEO們仍是謹慎的樂(lè )觀(guān)
- VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應求，但是有一種可能DRAM市場(chǎng)再次下跌。 同時(shí)由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹慎的樂(lè )觀(guān)，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 VLSI在它的最新看法中發(fā)現各種數據是交叉的，按VLSI的最新預測，2010年IC市場(chǎng)可能增長(cháng)30%，但是2011年僅增長(cháng)3.7%。而2010年半導體設備增長(cháng)96%。 而在之前的預測中認為2010年全球IC市場(chǎng)增長(cháng)28.1%，其它預測尚未改變。
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 NAND
分析師認為閃存熱 但是供應鏈不配套
- 無(wú)疑2009年對于閃存市場(chǎng)是可怕之年。 要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復蘇，預測2010年全球閃存市場(chǎng)已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應鏈部分卻遭受困境。 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場(chǎng)都很熱。NOR市場(chǎng)由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場(chǎng)與2009年相比增長(cháng)33.4%，達215億美元。 這是好的消息而壞消息在供應鏈中也開(kāi)始傳了出來(lái)。 Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場(chǎng)中有些購買(mǎi)者采
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND NOR
蘋(píng)果砸中閃存
- iPhone、iPad等蘋(píng)果i家族產(chǎn)品的熱銷(xiāo)，正引發(fā)連鎖反應。 7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，蘋(píng)果產(chǎn)品的熱銷(xiāo)消耗了整個(gè)閃存芯片市場(chǎng)不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應求的局面。 受此拉動(dòng)，閃存芯片巨頭們普遍迎來(lái)了一個(gè)靚麗的財季。 近期陸續出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動(dòng)下，閃存芯片近期需求及價(jià)格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷(xiāo)售
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片 iPhone
三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%
- 據國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長(cháng)的推動(dòng)，公司第二季度凈利潤同比增長(cháng)83%。 在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬(wàn)億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績(jì)好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬(wàn)億韓元。三星電子第二季度運營(yíng)利潤為5萬(wàn)億韓元(約合41億美元)，創(chuàng )公司季度運營(yíng)利潤歷史新高，同比增長(cháng)87.5%。三星電子第二季度營(yíng)收為37.9萬(wàn)億韓元，較去年同期增長(cháng)17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND 閃存芯片
EUV要加大投資強度
- 未來(lái)半導體制造將越來(lái)越困難已是不爭的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰階段，在4x，3x節點(diǎn)時(shí)發(fā)現了許多問(wèn)題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒(méi)有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來(lái)的2011-2012年，甚至更長(cháng)一段時(shí)期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會(huì )上發(fā)表此看法) 。另一位會(huì )議
- 關(guān)鍵字： 半導體制造 DRAM NAND
三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開(kāi)始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開(kāi)始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂(lè )等再生速度將更上一層樓。 三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規格NAND Flash開(kāi)發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度
- 三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計劃，旨在制定新規范推動(dòng)NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來(lái)說(shuō)，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開(kāi)發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機和消費電子產(chǎn)品。 三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源，因此它們在行業(yè)內具有相當大的話(huà)語(yǔ)權，這對他們的新規范計劃將非常有利。 三星上個(gè)月
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 30nm
爾必達與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議
- 日廠(chǎng)爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達將為飛索半導體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。 據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權，該項技術(shù)乃是以其稱(chēng)為MirrorBit的獨家技術(shù)為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過(guò)旗下的廣島12寸廠(chǎng)，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶(hù)營(yíng)銷(xiāo)。 路透(Reut
- 關(guān)鍵字： 爾必達 NAND
三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標準
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業(yè)標準，被業(yè)界廣泛接受使用。 最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動(dòng)的toggle DDR 2.0規范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。 高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來(lái)將
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 東芝
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