海力士開(kāi)始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

　　韓國海力士聲稱(chēng)，在其M11的300毫米生產(chǎn)線(xiàn)上開(kāi)始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。

　　該公司在2月時(shí)曾報道擬進(jìn)行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。

　　海力士稱(chēng)它的芯片是26nm的一種，有人稱(chēng)20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。