三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標準

　　三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業(yè)標準，被業(yè)界廣泛接受使用。

　　最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動(dòng)的toggle DDR 2.0規范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。

　　高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來(lái)將主要用于移動(dòng)設備、消費電子產(chǎn)品以及固態(tài)硬盤(pán)等領(lǐng)域，大大提升存儲性能。三星和東芝表示，上個(gè)月他們已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )推動(dòng)toggle DDR 2.0技術(shù)標準化。