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SK Hynix公開(kāi)第二代服務(wù)器用SSD

  •   SK海力士(SK Hynix)正式發(fā)表第二代36層3D NAND Flash服務(wù)器用固態(tài)硬碟(SSD),借由推出3D NAND Flash固態(tài)硬碟及其他高規格產(chǎn)品,積極搶攻企業(yè)市場(chǎng)。   據亞洲經(jīng)濟報導,日前SK海力士參加在大陸深圳召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)者論壇(IDF),并公開(kāi)采用第二代3D NAND Flash與控制器的服務(wù)器用NVMe介面固態(tài)硬碟。據了解,SK海力士從2016年初開(kāi)始量產(chǎn)36層3D NAND Flash。   SK海力士公開(kāi)的1TB NVMe介面固態(tài)硬碟,采用3D NAND Flas
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三星、SK Hynix大幅縮減芯片投資 內存不降價(jià)了?

  • 現在PC硬件中最實(shí)惠的就是DRAM內存及NAND閃存了,8GB內存重回199元大關(guān),240/256GB硬盤(pán)售價(jià)低至400元,簡(jiǎn)直是白菜價(jià)。
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SK Hynix:?jiǎn)螜C搭載量提升 2016年存儲器市場(chǎng)需求持續成長(cháng)

  •   受終端各應用部門(mén)對存儲器產(chǎn)品需求疲弱的影響,2015年第4季韓國第二大存儲器廠(chǎng)商SK海力士(SK Hynix)營(yíng)收僅達4.4兆韓元,較前季4.9兆韓元衰退10%,亦較2014年同期衰退14%。   在產(chǎn)品價(jià)格下滑、出貨狀況不如預期,加上營(yíng)業(yè)費用占營(yíng)收比重攀升等影響,2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達8,710億韓元,較前季1兆韓元衰退16.9%,不僅獲利表現不如預期,也是自2014年第4季以來(lái)連續4季衰退。   2015年第4季SK海力士DRAM部門(mén)受到PC與移動(dòng)裝置需求疲弱影響,位元出貨量較
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IC Insights:三星、SK Hynix全球半導體市占擴增

  •   在中國半導體業(yè)者積極爭取市占的環(huán)境中,三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK Hynix今(2015)年仍持續擴大在全球半導體市場(chǎng)的占有率。   韓媒BusinessKorea 14日報導,科技市調機構IC Insights 13日發(fā)表一就報告指出,三星今年仍是全球第二大半導體制造商、銷(xiāo)售額達到416億美元,緊追在英特爾(Intel Corp.)的503億美元之后。不過(guò),兩家公司的差距已從去年的157億美元收斂至87億美元,主要是因為英特爾今年營(yíng)收下降了2%、但三星卻成長(cháng)1
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SK Hynix 其實(shí)想和紫光合作,擬專(zhuān)利授權

  •   南韓記憶體大廠(chǎng)SKHynix雖一口回絕了紫光集團(TsinghuaUnigroup)共組合資企業(yè)的提議,但商場(chǎng)沒(méi)有永遠敵人,韓媒傳出在競爭日益激烈的環(huán)境下,SKHynix有意與紫光簽立專(zhuān)利授權協(xié)議,希望能降低一些市場(chǎng)風(fēng)險。   韓國時(shí)報29日報導,駐扎首爾的數名歐美投資銀行基金經(jīng)理人直指,SKHynix其實(shí)很想(morethaninterested)和紫光合作、分享記憶體晶片專(zhuān)利科技,未來(lái)或許會(huì )和紫光就公司市占較低的快閃記憶體簽訂廣泛的專(zhuān)利授權合約,因為紫光的生產(chǎn)成本更為低廉。根據經(jīng)理人的說(shuō)法,中國
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紫光欲借道SK海力士進(jìn)入內存領(lǐng)域

  • 清華紫光在政策助力下,一年來(lái)動(dòng)作頻頻,大舉并購相關(guān)半導體廠(chǎng)商外,也不斷對臺灣放話(huà),最新消息是在南亞科前總經(jīng)理高啟全的牽線(xiàn)下,紫光正與 SK Hynix 洽談合作的可能,想藉此切入 NAND Flash 市場(chǎng)。
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中國京東方搶進(jìn) 內存三強局面將生變?

  •   目前全球內存芯片市場(chǎng)由韓國三星電子(Samsung Electronics)、SK Hynix 以及美國美光(Micron Technology)三強主導,但此三強局面將因中國廠(chǎng)商搶進(jìn)而產(chǎn)生變化?   韓國媒體中央日報日文版 7 日報導,根據中國最大面板廠(chǎng)京東方(BOE)內部消息人士 6 日透露,BOE 于 3 月 23 日舉行了理事會(huì ),并決議將進(jìn)軍內存芯片市場(chǎng),且 BOE 經(jīng)營(yíng)團隊已向員工公告了上述消息。   據報導,中國企業(yè)在半導體設計及半導體代工領(lǐng)域已展露頭角,惟在內存市場(chǎng)上,目前仍未有中國
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DRAM今年全年缺貨 威剛可望賺1個(gè)股本

  •   記憶體模組廠(chǎng)威剛(3260-TW)董事長(cháng)陳立白表示,今年DRAM全年仍處于缺貨的情況,從第1季就會(huì )開(kāi)始缺貨。至于威剛今年獲利可望維持和去年相當,將可再賺進(jìn)1個(gè)股本。威剛2日股價(jià)受到激勵,最高來(lái)到74.7元,漲幅近5%,開(kāi)盤(pán)不到2小時(shí),成交量爆逾7000張,比前1交易日2872張大幅增加,帶動(dòng)創(chuàng )見(jiàn)(2451-TW)、南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)股價(jià)普遍上漲,其中,華亞科盤(pán)中最高來(lái)到23.1元,漲幅逾4%,開(kāi)盤(pán)2小時(shí),成交量逾2萬(wàn)張,超越前1交易日的成交量。   陳立白表示,DR
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Hynix更名SK Hynix 韓國電信占21%股份

  •   上月韓國電信服務(wù)供應商SKTelecom斥資3.34萬(wàn)億韓元(折合約30億美元)收購DRAM芯片制造商海力士(Hynix)共計21%的股份,日前經(jīng)由后者股東會(huì )同意和批準,海力士將正式更名為SK海力士(SKHynix),新的公司Logo和官方主頁(yè)亦已經(jīng)上線(xiàn)。   Hynix更名SKHynix   據雙方表示,這筆交易已經(jīng)在近日全部完成,往后海力士將改名為SK海力士,除了繼續推出DRAM芯片外,還會(huì )針對市場(chǎng)需要擴大業(yè)務(wù)范圍,對其他種類(lèi)的芯片進(jìn)行生產(chǎn),目標是成為“全球最好的半導體廠(chǎng)商&rdq
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數投入NAND

  •   外電報導,全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報:受內存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續第2季繳出虧損成績(jì)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達1,675億韓元,遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據彭博社調查,分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查,分析師原先預期Hynix Q4
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Hynix接洽潛在買(mǎi)家 內存制造行業(yè)遭冷遇

  •   韓國海力士(Hynix)半導體的股東透露,公司股東現在愿意接受新的競購方案,負責安排控股權出售事宜的顧問(wèn)行正在接洽潛在競購買(mǎi)家。此前由于其他競購方的退出,韓國移動(dòng)通信運營(yíng)商SK電訊成為海力士股權的獨家競買(mǎi)方,這為股東爭取出現競購局面的努力蒙上了陰影。  
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Hynix東芝宣布將聯(lián)合開(kāi)發(fā)STT-MRAM技術(shù)

  •   韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開(kāi)發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認為這項技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后,兩家公司計劃成立一 家專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外,作為這次合作戰略的其它部分,兩家公司還將擴大專(zhuān)利交叉授權的范圍。
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韓國SK集團態(tài)度轉變將參與海力士購并案

  •   據韓國媒體報導,直到7月5日還在考慮是否購并海力士半導體(Hynix)的現代重工業(yè)(Hyundai Heavy Industries),最終決定不提出意向申請書(shū)(LOI),然現又傳出韓國SK集團將要推動(dòng)購并海力士。由于SK集團主要經(jīng)營(yíng)通信及煉油事業(yè),已感受到事業(yè)成長(cháng)極限的SK集團,選擇半導體作為集團新成長(cháng)動(dòng)力,架構通信服務(wù)、煉油和半導體3大事業(yè)主軸。若SK集團確定投標,海力士的股權拋售局面也將出現反轉。
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Hynix成功開(kāi)發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

  •   Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片,Hynix稱(chēng)這款產(chǎn)品是業(yè)內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。   
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南韓媒體稱(chēng)海力士半導體30納米工藝轉換不順

  •   據南韓電子新聞報導,全球主要DRAM內存芯片業(yè)者陸續投入微細制程轉換作業(yè),然而海力士半導體(Hynix)在轉換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉換競爭中,一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida),可能會(huì )更快完成制程轉換作業(yè),并動(dòng)搖海力士數年來(lái)維持的競爭力。對此說(shuō)法,海力士反駁道,目前皆依照計劃日程順利進(jìn)行轉換中?!?/li>
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hynix介紹

海力士半導體公司(Hynix,諺文:???? ???,KSE:000660 )是一家韓國的電子公司,全球二十大半導體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng )立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM,后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù),同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價(jià)格操控與處份 2004 [ 查看詳細 ]

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