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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
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東芝等日本半導體廠(chǎng)紛紛取消年底假期持續生產(chǎn)
- 隨著(zhù)薄型電視等產(chǎn)品需求呈現增長(cháng)，東芝(Toshiba)等日本半導體大廠(chǎng)也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續進(jìn)行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動(dòng)輒停工近20天的嚴峻局面。 報導指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠(chǎng)去年年底12吋產(chǎn)線(xiàn)停工達13天，惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加，故四日市工廠(chǎng)今年年底假期將持續進(jìn)行生產(chǎn)不停工。 報導指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠(chǎng)原先計劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車(chē)的微控制器(MCU)
- 關(guān)鍵字： Toshiba NAND MCU
東芝等日本半導體巨頭恢復增產(chǎn)投資
- 據國外媒體報道，日本國內的半導體巨頭重新開(kāi)啟了增產(chǎn)投資的大門(mén)。東芝公司一直生產(chǎn)手機等設備上使用的閃存，并在該領(lǐng)域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達公司主要生產(chǎn)PC的內存，該公司計劃在2010財年向主要生產(chǎn)廠(chǎng)投資600億日元，將出貨量提高3成。 自今年夏天以來(lái)，全球半導體市場(chǎng)呈現堅挺的走勢，PC銷(xiāo)售等在需求的刺激下得到恢復。全球經(jīng)濟危機后，日本IT業(yè)大公司一改過(guò)去的謹慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開(kāi)競爭。
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
東芝、爾必達提高半導體事業(yè)資本支出
- 自2009年夏季起全球半導體市場(chǎng)需求回溫，日本半導體大廠(chǎng)增資動(dòng)作亦轉趨積極。日本經(jīng)濟新聞報導指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據點(diǎn)，以增加3成出貨量。 報導指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠(chǎng)導入尖端設備，此亦為2007年來(lái)東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據悉，增設新生產(chǎn)線(xiàn)后，整廠(chǎng)生產(chǎn)規模將由26萬(wàn)
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傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能
- 據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規模將擴大40%。 報道稱(chēng)，東芝當前還計劃在2012年3月之前，為半導體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場(chǎng)調研公司iSuppli上周發(fā)布研究數據顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jì)強勁，東芝表現最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)近50%。 iSuppli的報告稱(chēng)，全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(cháng)了25.5%，達39.4億美元。
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存芯片
消息稱(chēng)張汝京或將管理中芯成都及武漢芯片廠(chǎng)
- 據臺灣媒體報道，近期市場(chǎng)傳出中芯國際將切割代管的成都廠(chǎng)及武漢廠(chǎng)等兩地晶圓廠(chǎng)，而兩座廠(chǎng)將可能由中芯前總裁張汝京出面統籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。 臺灣媒體引述“內部人士”的話(huà)報道稱(chēng)，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見(jiàn)面，但王寧國未有正面回應，目前中芯切割兩晶圓廠(chǎng)政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì )中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來(lái)成都廠(chǎng)及武漢廠(chǎng)由張汝京出面統籌管理。 據報道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達成協(xié)議，成都市政府出資成立成
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東芝第三季度NAND閃存營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)近50%
- 據國外媒體報道，市場(chǎng)研究公司iSuppli最新研究數據顯示，第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jì)強勁，東芝表現最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)近50%。 全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(cháng)了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場(chǎng)，其N(xiāo)AND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(cháng)了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。 iSuppli資深分析師Michael Yang說(shuō)：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝發(fā)布業(yè)內最大容量嵌入式NAND閃存模組
- 東芝公司本周一發(fā)布了據稱(chēng)為業(yè)內最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內建專(zhuān)用的控制器，并內含16個(gè)采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這款內存模組產(chǎn)品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后，手機的存儲容量將實(shí)現倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來(lái)的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。 東芝本月將開(kāi)始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
臺美日DRAM廠(chǎng)連手 抗韓策略發(fā)酵
- 兩大韓系內存廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠(chǎng)合作，盡管過(guò)去喊出的臺美日廠(chǎng)連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒(méi)再被提起，但DRAM廠(chǎng)指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營(yíng)板塊運動(dòng)，仍按照臺美日廠(chǎng)連手抗韓局勢發(fā)展。 隨著(zhù)三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內將面臨三大挑戰
- 臺積電董事長(cháng)張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒(méi)有說(shuō)新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過(guò)去兩年、甚至十年沒(méi)遇見(jiàn)過(guò)。 第一個(gè)挑戰是匯率。張忠謀說(shuō)，臺灣過(guò)去20年沒(méi)有遭遇很大的匯率挑戰，但美元愈來(lái)愈弱，這會(huì )是一個(gè)趨勢，相對地新臺幣波
- 關(guān)鍵字： 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
12月上旬合約價(jià)DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開(kāi)出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計算機(PC)廠(chǎng)急單涌入之故;而 NAND Flash合約價(jià)格則反應市場(chǎng)需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價(jià)格貼近現貨價(jià)格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營(yíng)運被跌價(jià)的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現貨價(jià)格持續反彈，1Gb容量DDR2價(jià)格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個(gè)市場(chǎng)的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
- 關(guān)鍵字： 南亞科 NAND DRAM
張忠謀：臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰
- 12月9日消息，臺積電董事長(cháng)張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒(méi)有說(shuō)新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過(guò)去兩年、甚至十年沒(méi)遇見(jiàn)過(guò)。 第一個(gè)挑戰是匯率。張忠謀說(shuō)，臺灣過(guò)去20年沒(méi)有遭遇很大的匯率挑戰，但美元愈來(lái)愈弱，這會(huì )是一個(gè)趨勢
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標直指臺積電
- 據報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規模。 根據iSuppli的統計，去年全球芯片代工市場(chǎng)的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨自占據了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內存和NAND閃存市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，但是他們在代工市場(chǎng)的收入卻只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能，目標直指臺積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠(chǎng)，專(zhuān)門(mén)用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強調
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三星開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內存的雙倍傳輸技術(shù)，據三星公司宣稱(chēng)，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續讀取速率，同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設備。 另外一款
- 關(guān)鍵字： 三星 30nm NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
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