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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

  • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長(cháng)期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
  • 關(guān)鍵字： 芯片  設計  控制  flash  SD  NAND  用于  

未來(lái)幾年NAND閃存將面臨過(guò)剩隱憂(yōu)

  • 　　據iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達到最高紀錄。 　　預計2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋(píng)果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長(cháng)，2011年NAND閃存市場(chǎng)將繼續增長(cháng)，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數據顯示，預計明年NAND閃存市場(chǎng)上升25%至225億美元。 　　
  • 關(guān)鍵字： NAND  智能手機  

2011年全球DRAM經(jīng)營(yíng)慘淡

  • 　　2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，可說(shuō)是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長(cháng)率將高達30%，創(chuàng )下10年以來(lái)新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長(cháng)趨緩影響，2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長(cháng)5%，移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)的重要動(dòng)能。預估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著(zhù)智能手機等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。 　　
  • 關(guān)鍵字： SAMSUNG  DRAM  NAND  

NAND Flash的壞塊管理設計

  • NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實(shí)現方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
  • 關(guān)鍵字： 設計  管理  Flash  NAND  

NAND Flash管理算法的設計及實(shí)現

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁(yè)級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時(shí)還提出了對flash的分區方法。
  • 關(guān)鍵字： 設計  實(shí)現  算法  管理  Flash  NAND  

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續下跌

  • 　　隨著(zhù)DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續崩跌，不僅上游DRAM廠(chǎng)營(yíng)收紛呈現大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠(chǎng)亦受到牽累，10月?tīng)I收亦持續下滑，其中，威剛10月?tīng)I收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月?tīng)I收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續呈現衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續下跌

  • 　　隨著(zhù)DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續崩跌，不僅上游DRAM廠(chǎng)營(yíng)收紛呈現大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠(chǎng)亦受到牽累，10月?tīng)I收亦持續下滑，其中，威剛10月?tīng)I收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月?tīng)I收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續呈現衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  

3C大廠(chǎng)合力推動(dòng)UFS實(shí)現NAND應用接口標準統一

  • 　　集邦科技旗下研究機構 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠(chǎng)，近期正在積極推動(dòng)新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規格制定事宜。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  UFS  

三星半導體16產(chǎn)線(xiàn)將轉產(chǎn)閃存

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠(chǎng)，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠(chǎng)16產(chǎn)線(xiàn)，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星半導體  NAND  

固態(tài)硬盤(pán)備受關(guān)注

  • 　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)一直以來(lái)為各家 NAND Flash 廠(chǎng)商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對于 NAND Flash 的使用量來(lái)說(shuō)是一般內建式應用產(chǎn)品、U盤(pán)與記憶卡的數倍之多，因此對于固態(tài)硬盤(pán)對于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。 　　
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán)  NAND  

固態(tài)硬盤(pán)備受NAND Flash廠(chǎng)商親賴(lài)

  • 　　固態(tài)硬盤(pán)一直以來(lái)為各家NAND Flash廠(chǎng)商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對于NAND Flash的使用量來(lái)說(shuō)是一般內建式應用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數倍之多，因此對于固態(tài)硬盤(pán)對于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。而從消費者的論點(diǎn)來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的傳輸速度為傳統硬盤(pán)的兩倍以上，同時(shí)也兼具了省電與抗震動(dòng)的特點(diǎn)，因此，DRAMeXchange認為，在未來(lái)高畫(huà)質(zhì)影音與大容量檔案傳輸的需求將大幅提升之下，對于固態(tài)硬盤(pán)的需求若能在價(jià)格有效下降至可接受的范圍將會(huì )開(kāi)始提升。 　　
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán)  NAND  

美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅采用

  • 　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數據儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡(jiǎn)稱(chēng) HLDS) 采用作為其新型混合光驅 (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量?jì)Υ婧涂尚薷墓δ?，是針對個(gè)人計算機、DVD 播放器和藍光產(chǎn)品的綜合解決方案。 　　美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設備中8GB 儲存容量，滿(mǎn)足新應用
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  

Spansion能否卷土重來(lái)

  • 　　高調宣布走出破產(chǎn)保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬(wàn)美元上升至2740萬(wàn)美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續保持著(zhù)穩定的財務(wù)態(tài)勢。Spansion是否能夠卷土重來(lái)?業(yè)界一直存在頗多爭議之聲。日前，該公司企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)總監John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務(wù)、技術(shù)趨勢等話(huà)題接受了專(zhuān)訪(fǎng)。 　
  • 關(guān)鍵字： Spansion  NAND  

三星、東芝制程競賽不止

  • 　　NAND Flash大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產(chǎn)出持續大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%，低容量芯片價(jià)格則是幾乎持平，市場(chǎng)預期日前平板計算機和智能型手機 (Smart Phone)都內建高容量的NAND Flash存儲器，在年底圣誕節最后一波促銷(xiāo)熱潮之下，有機會(huì )提升NAND Flash市場(chǎng)的需求，彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣(mài)相不佳的缺憾。 　
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三星啟動(dòng)64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)

  • 　　就在啟動(dòng)32GB 20nm閃存生產(chǎn)線(xiàn)四個(gè)月后，三星確認目前已經(jīng)啟動(dòng)64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  20納米  
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