EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點(diǎn)評(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：國際上有許多市場(chǎng)分析公司與機構，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預測值不同，有時(shí)差異還不小。據編者的看法任何預測都有三類(lèi)，即樂(lè )觀(guān)、中等和悲觀(guān)。另外，由于每個(gè)市場(chǎng)分析公司其數據來(lái)源及分析的范圍各不同，所以數據不一樣是正常的。那該如何來(lái)觀(guān)察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數據相對可靠(經(jīng)驗值)，如半導體數據是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設備材
- 關(guān)鍵字： IC NAND DRAM
東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市
- 日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷(xiāo)量?jì)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品中采用了自己設計的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠(chǎng)商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過(guò)目前東芝所售出的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠(chǎng)商乃至終端客戶(hù)便無(wú)法享受到32nm制程技術(shù)帶來(lái)低成本實(shí)惠。 不過(guò)東芝近日宣布，他們將開(kāi)始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤(pán)產(chǎn)品，并將于本季度推出
- 關(guān)鍵字： 東芝 32nm NAND 閃存制造
一季度半導體供應商將繼續維持低庫存
- 據iSuppli公司，經(jīng)過(guò)2009年對膨脹的庫存大幅削減 ，全球半導體供應商預計將在2010年第一季度維持低量庫存，以期在不明朗的經(jīng)濟環(huán)境中能獲益。 半導體供應商的庫存天數(DOI)預計將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫存預計比這一標準還低6.9%。而第一季度的庫存會(huì )維持在可滿(mǎn)足要求的平衡水平上，庫存將達到非常低的水平--甚至有幾種具體設備會(huì )接近短缺的邊緣。 圖示為iSuppli
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
iSuppli：全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺
- 據市場(chǎng)研究公司iSuppli的調查，全球半導體供應商預計將在第一季度保持輕庫存，以便在不確定的經(jīng)濟形勢下保持盈利。 第一季度末庫存天數預計將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫存天數已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%，第一季度預計將較普通水平少6.9%。 iSuppli預測，由于庫存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。 2010年，預計庫存天數將穩定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數增長(cháng)，增長(cháng)幅度預計為15.4%，而2009年減少12.4%
- 關(guān)鍵字： 芯片 NAND
威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)
- 存儲器模塊大廠(chǎng)威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jì)單，董事長(cháng)陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩，預計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會(huì )是傳統淡季的第2季，2010年將會(huì )見(jiàn)到淡季不淡，也不見(jiàn)五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格則預計會(huì )起起伏伏，整體而言，DRAM表現會(huì )優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。 威剛2009年進(jìn)行高層人士調整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門(mén)資深營(yíng)銷(xiāo)副總金一雄擔任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 威剛 存儲器 NAND
韓結束3年反壟斷調查 未發(fā)現芯片廠(chǎng)操縱價(jià)格
- 韓國公平交易委員會(huì )(FTC)周三宣布，并未發(fā)現NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調查。 反壟斷監管單位聲明，針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調查已經(jīng)全部結束。 2007年1月，FTC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND DRAM
韓國FTC：NAND Flash大廠(chǎng)無(wú)操控價(jià)格
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿易委員會(huì )(FTC)并未發(fā)現NAND Flash存儲器大廠(chǎng)有任何操控價(jià)格的證據，將結束為期將近3年的調查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場(chǎng)相關(guān)的操控價(jià)格調查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場(chǎng)。 韓國FTC自2007年1月開(kāi)始調查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價(jià)格的不法行為，并調查4家全球存儲器大廠(chǎng)，包括兩家韓國廠(chǎng)商、1家日本及1家美國廠(chǎng)商，然FTC并未透露遭調查的廠(chǎng)商名稱(chēng)。 存儲器產(chǎn)業(yè)近年來(lái)遭數個(gè)國家調查是否存在柯斷，近期
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
韓國結束對閃存商反壟斷調查 未發(fā)現違法行為
- 韓國公平交易委員會(huì )在一份聲明中表示尚未發(fā)現韓國或其他地區閃存廠(chǎng)商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據。 該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠(chǎng)商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過(guò)公平交易委員會(huì )沒(méi)有點(diǎn)出這些廠(chǎng)商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備，包括數字音樂(lè )播放器、數碼相機和手機。 根據三星電子和東芝的說(shuō)法，今年8月，美國司法部也結束了這樣的調查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。 市場(chǎng)調查公司iSuppli的數據顯示第三季度三星在全球NAND閃存
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 閃存芯片
傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩定性問(wèn)題
- 據業(yè)者透露，韓國廠(chǎng)商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩定性和耐用性方面不如現有兩位元型產(chǎn)品，不過(guò)消息來(lái)源不愿意透露這家韓國廠(chǎng)商的具體名稱(chēng)。據消息來(lái)源透露，這家韓國廠(chǎng)商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區的市場(chǎng)發(fā)售，不過(guò)目前部分銷(xiāo)往美國市場(chǎng)的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩定而遭到客戶(hù)的退貨。 據閃存控制芯片的廠(chǎng)商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問(wèn)題，因此需要3個(gè)月的時(shí)間對這種新產(chǎn)品進(jìn)行充分的測試。
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩
- 根據市場(chǎng)調研公司DRAMeXchange的最新統計，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。 其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均銷(xiāo)售價(jià)格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價(jià)格依舊保持在4.02美元。 盡管受到季節性銷(xiāo)售規律的影響，NAND閃存12月份的銷(xiāo)售價(jià)格依舊保持穩定?？紤]到一些芯片制造商將重點(diǎn)轉移到了工藝升級上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)始存貨為即
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機遇
- 經(jīng)歷了09年初的低糜，IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機中復蘇，觀(guān)望其2010年的發(fā)展趨勢，可以說(shuō)是機遇與挑戰并存。本文將對于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)的有利與不利因素分別敍述，供業(yè)界探討與分析。 10大機遇 1. IC行業(yè)的季節性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說(shuō)：“亞洲芯片分銷(xiāo)商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷(xiāo)售將環(huán)比下降4到8個(gè)百分點(diǎn)，比起上個(gè)月我們調查得出的環(huán)比下降10個(gè)百分點(diǎn)情況更好，這是由11月份的工業(yè)、消費和智能手機芯片的強勁需求推動(dòng)的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
- 關(guān)鍵字： Altera LED IC NAND
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開(kāi)多年無(wú)法突破的經(jīng)營(yíng)困境，而與臺積電未來(lái)如能合作，將會(huì )是個(gè)雙贏(yíng)的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個(gè)春天。 11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創(chuàng )辦人、執行長(cháng)張汝京宣布辭職;董事會(huì )即刻宣布由王寧國接任執行董事兼集團總裁、首席執行官。全世界最大的晶圓代工廠(chǎng)臺積電入股中芯半導體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無(wú)償授予臺積電8%的中芯股權，且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價(jià)格認購2%的中芯股權。 這件事情所以在臺灣
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 晶圓 NOR NAND
Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制
- 在本月22日召開(kāi)的一次電話(huà)會(huì )議上，鎂光公司聲稱(chēng)他們很快便會(huì )試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進(jìn)行取樣測試。盡管鎂光沒(méi)有透露這種2xnm制程的具體規格數字，但外界認為他們很可能會(huì )于明年初公布有關(guān)的細節信 息。這樣，鎂光及其N(xiāo)AND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開(kāi)對手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng )立有一家專(zhuān)門(mén)負責NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。 除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
- 關(guān)鍵字： 鎂光 NAND 閃存
海力士：2010年DRAM供不應求
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場(chǎng)表現，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。 海力士執行長(cháng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個(gè)人計算機(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底，前景相當穩定。 隨著(zhù)景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴張目前的NAND
- 關(guān)鍵字： Hynix 存儲器 NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)電路
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)相關(guān)帖子
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)資料下載
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473