EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
三星電子：半導體廠(chǎng)房跳電損失估計不到90億韓圜
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠(chǎng)房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠(chǎng)房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產(chǎn)線(xiàn)。 Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報導，三星電子器興市半導體廠(chǎng)房24日突然跳電，其K2、K5廠(chǎng)區在
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND
三星公司Fab13/Fab14內存/閃存芯片工廠(chǎng)再遭斷電事故侵擾
- 韓國三星電子公司近日表示本月24日下午，其設在Kiheung地區的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過(guò)據三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時(shí)的斷電并沒(méi)有對其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著(zhù)影響。 據三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠(chǎng)主要包括三星旗下兩間12英寸廠(chǎng)Fab13和Fab14.其中Fab13主要負責為三星生產(chǎn)內存芯片，而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬(wàn)/13萬(wàn)片晶圓。 無(wú)獨有偶，20
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND 晶圓
東芝宣布其Fab5新廠(chǎng)房將于今年七月份開(kāi)工建造
- 東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現有的生產(chǎn)運營(yíng)中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠(chǎng)，這間芯片廠(chǎng)將于今年七月份開(kāi)始動(dòng)工。目前，東芝設在四日市的生產(chǎn)運營(yíng)中心 已建有四間NAND閃存芯片廠(chǎng)。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟危機，而NAND閃存芯片的市場(chǎng)需求也一度相當萎靡，但近期隨著(zhù)智能手機和其它應用型產(chǎn) 品的熱銷(xiāo)，閃存芯片的市場(chǎng)需求已經(jīng)開(kāi)始回暖，而且未來(lái)一段時(shí)間內還將保持增長(cháng)趨勢，因此東芝最終作出了開(kāi)工建造Fab5芯片廠(chǎng)的決定。 按照東芝的計劃，其Fab5工廠(chǎng)將于明年春季完工，而后期的投資力度和
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存芯片
NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場(chǎng) SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合
- NAND Flash控制芯片市場(chǎng)曾吸引眾多IC設計業(yè)者爭相投入，隨著(zhù)快閃記憶卡市場(chǎng)飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競爭對手環(huán)伺，過(guò)去擁有NAND Flash大廠(chǎng)作靠山便是票房保證的時(shí)代已不再，未來(lái)NAND Flash大廠(chǎng)對于控制芯片業(yè)者而言，恐怕不再是大樹(shù)好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠(chǎng)在走進(jìn)SSD時(shí)代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購權，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產(chǎn)業(yè)勢必將展開(kāi)一波整合及淘汰賽。 N
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND IC設計
東芝重啟產(chǎn)能擴展計劃 新閃存生產(chǎn)廠(chǎng)7月開(kāi)工
- 日本最大的內存芯片廠(chǎng)商東芝將重啟因經(jīng)濟衰退而擱置的產(chǎn)能擴展計劃，它將從7月開(kāi)始建設新的閃存生產(chǎn)廠(chǎng)。 東芝表示，新生產(chǎn)廠(chǎng)位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線(xiàn)，預計在2011年春季完建。東芝沒(méi)有透露該生產(chǎn)廠(chǎng)的建設成本。 包括蘋(píng)果iPhone在內的智能手機銷(xiāo)售的增長(cháng)，推動(dòng)了NAND內存需求的增長(cháng)。據市場(chǎng)調研公司 iSuppli預計，NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(cháng)34%達到181億美元。 東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱(chēng)，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠(chǎng)的投資規模，但是建立新
- 關(guān)鍵字： 東芝 內存芯片 NAND
Intel、美光25nm NAND閃存二季度開(kāi)售
- Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開(kāi)始銷(xiāo)售，預計今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤(pán)、記憶卡、固態(tài)硬盤(pán)等各種產(chǎn)品。 IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下，并應用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總容量8GB，相比現有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內核面積卻小了十分之一。 Intel NA
- 關(guān)鍵字： Intel NAND 25nm
09年半導體產(chǎn)業(yè)下滑 亞太供應商表現出色
- 2009年全球半導體產(chǎn)業(yè)急劇下滑，但亞太的芯片廠(chǎng)商安然無(wú)恙?？偛吭趤喬貐^的半導體供應商，2009年合計營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(cháng)2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。 “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡，而亞太地區的供應商卻設法實(shí)現了增長(cháng)，因為他們專(zhuān)注于熱門(mén)半導體產(chǎn)品而且受益于該地區的強勁需求，”iSuppli公司市場(chǎng)情報服務(wù)資深副總裁Dale Ford表示，“
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND LED
SanDisk變身 開(kāi)始對外供應NAND閃存晶圓
- 據報道，包括威剛、創(chuàng )見(jiàn)、PQI勁永等在內的臺灣閃存產(chǎn)品廠(chǎng)商以及閃存控制器廠(chǎng)商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開(kāi)始從SanDisk公司購買(mǎi)NAND閃存晶圓。這意味著(zhù)SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應商。 據稱(chēng)，SanDisk已經(jīng)從閃存制造合作伙伴東芝一道，成了多家臺灣閃存產(chǎn)品廠(chǎng)商的上游供應商之一。實(shí)際上，自2008年起就有傳言稱(chēng)SanDisk將對外供應NAND閃存，但在當時(shí)在全球閃存市場(chǎng)供求旺盛的狀況下，SanDisk一致謹慎的實(shí)行自有品牌的戰略。隨著(zhù)近一兩年全球金融危機以
- 關(guān)鍵字： SanDisk 閃存控制器 NAND 閃存晶圓
SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉戰局
- 最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內部的競爭激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯 片，其對手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。 據SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線(xiàn)圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程NAND閃存芯片將可適用于兩位元存儲單元設計和三位元存儲單元設計。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲單
- 關(guān)鍵字： SanDisk NAND 閃存芯片
鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉向更高級別制程
- 鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其N(xiāo)AND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批量生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開(kāi)發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規范。目
- 關(guān)鍵字： 鎂光 NAND 25nm
全球存儲器短缺的三個(gè)理由
- 2010年全球存儲器可能出現供應缺貨，而且非?？赡軙?huì )延續下去。為什么?可能有三個(gè)原因，1)，存儲器市場(chǎng)復蘇;2)，前幾年中存儲器投資不足;3)，由ASML供應的光刻機交貨期延長(cháng)。 巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報告中指出，通過(guò)存儲器的食物供應鏈看到大量的例證，認為目前存儲器供應偏緊的局面將持續2010整年，甚至延伸到2011年。 據它的報告稱(chēng)，2010年全球NAND閃存的位增長(cháng)可達70%，而2009增長(cháng)為41%。2010年全球DRAM的位增長(cháng)達52%。 Luke認為
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND 光刻機
傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能
- 消息人士周三透露，東芝未來(lái)三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠(chǎng)。 報道稱(chēng)，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠(chǎng)，但受經(jīng)濟衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠(chǎng)計劃。 市場(chǎng)調研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱(chēng)，全球NAND閃存市場(chǎng)去年第三季度營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(cháng)了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場(chǎng)，其N(xiāo)AND閃存
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存芯片
Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開(kāi)發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱(chēng)將于今年7月份開(kāi)始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
- 關(guān)鍵字： Hynix 26nm NAND 閃存芯片
傳鎂光公司欲收購Numonyx公司
- 業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱(chēng)其仍對NOR閃存市場(chǎng)抱有興趣。一位市場(chǎng)分析師稱(chēng)：”我聽(tīng)說(shuō)鎂光有可能會(huì )收購 Numonyx公司，這說(shuō)明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠(chǎng)商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠(chǎng)商。“ 此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來(lái)也是Intel內部負責NOR閃存的部門(mén)，不過(guò)后來(lái)Intel將這家公司從Intel分離出來(lái)，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR閃存
技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰略縱覽
- 在最近舉辦的一次會(huì )議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規劃，他們計劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現代以及東芝這些廠(chǎng)商一爭高下，但于此同時(shí),他們又表現出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。 Intel不準備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱(chēng)雄的決定令人稍感驚奇，過(guò)去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
- 關(guān)鍵字： Intel NAND 閃存
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)電路
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)相關(guān)帖子
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)資料下載
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473