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南北韓戰事升溫 三星命懸一線(xiàn)
- 才剛對全球半導體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過(guò)30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來(lái)南北韓關(guān)系若持續緊繃，甚至有戰事發(fā)生，將使得全球個(gè)人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應鏈造成巨大變化。 全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠(chǎng)：三星 根據DIGITIMES
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND
三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏
- 三星在DRAM及NAND中稱(chēng)霸，年產(chǎn)值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。 南韓半導體大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統LSI(System LSI)部門(mén)，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿(mǎn)足手機等系統單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對此解讀，三星主要系著(zhù)眼于最大客戶(hù)高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來(lái)是否會(huì )擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉變化有待觀(guān)察
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND
迎戰三星 臺塑集團準備好了
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會(huì )議表示，原先預期三星明年下半年啟動(dòng)擴產(chǎn)，其進(jìn)度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開(kāi)發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺系廠(chǎng)商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應戰。 三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預期將在明年下半年啟動(dòng)快的多，也使臺灣廠(chǎng)商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場(chǎng)。 南亞科董事
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND 50納米
NAND閃存銷(xiāo)售Q1微增 三星東芝主宰市場(chǎng)
- 據市場(chǎng)研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統計的第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入數字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場(chǎng)，僅給其它所有的公司留下了較少的市場(chǎng)份額。三星今年第一季度的市場(chǎng)份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場(chǎng)份額是33.8%。其它每一個(gè)廠(chǎng)商爭奪的市場(chǎng)份額只有27.7%。 按美元統計，今年第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長(cháng)了0.6%。因此，你可以計算出供應商的實(shí)際銷(xiāo)售收入。iSuppli稱(chēng)，這是一個(gè)好消息，因為歷史
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND 閃存
Intel鎂光宣布開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售25nm制程NAND閃存芯片
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開(kāi)始正式對外銷(xiāo)售量產(chǎn)的25nm制程NAND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。 這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時(shí)時(shí)長(cháng)的視頻片段。 目前還不清楚首款配置這
- 關(guān)鍵字： Intel 25nm NAND
今年 Q1 NAND閃存市調報告出爐 三星東芝占據大半江山
- 據iSuppli市調公司2010年第一季度的NAND閃存市場(chǎng)調查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據了NAND閃存市場(chǎng)的絕大部分份額，其中三星的營(yíng)收 份額最高，達到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據了72.3%的NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場(chǎng)總值達到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場(chǎng)總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節性因素的影響，每年的第一季度閃存市場(chǎng)一 般都會(huì )比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(cháng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(cháng)11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
- 關(guān)鍵字： Samsung NAND DRAM
美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠(chǎng)恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。 完成收購恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠(chǎng)。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元，自由現金流量達4,200萬(wàn)美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM NAND NOR
海力士：一季度DRAM芯片平均售價(jià)季漲3%
- 以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價(jià)季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱(chēng)，一季度NAND快閃記憶芯片售價(jià)季比下降8%，09年四季度降幅為5%。 該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 海力士半導體公布，該公司一季度營(yíng)業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營(yíng)業(yè)利潤率為25%。
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND DRAM
抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠(chǎng)提前運作
- 英特爾(Intel)和美系記憶體大廠(chǎng)美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠(chǎng)重啟營(yíng)運。 2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場(chǎng)，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢(qián)出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專(zhuān)門(mén)為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來(lái)到低點(diǎn)，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存
- 據外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開(kāi)始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。 三星電子相關(guān)負責人表示，公司同時(shí)開(kāi)發(fā)20納米制程32GB多層單元專(zhuān)用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩定性。 三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。 此外，今年2月公布開(kāi)發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
- 關(guān)鍵字： 三星電子 20納米 NAND
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