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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
三星第一季營(yíng)業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍
- 據國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價(jià)格上漲，該公司第一季度營(yíng)業(yè)利潤同比猛增7倍。 利潤增長(cháng) 三星的初步財報顯示，該公司第一季度營(yíng)業(yè)利潤約為4.3萬(wàn)億韓元(約合38億美元)，上下浮動(dòng)區間為2000億韓元，去年同期調整后營(yíng)業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據彭博社的調查，15名分析師此前對三星營(yíng)業(yè)利潤的中位數預期為4.27萬(wàn)億韓元。 外界預計，受到存儲芯片以及平板顯示器價(jià)格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng )下今年最好業(yè)績(jì)。受此影響，三星股價(jià)周一創(chuàng )下歷史新高。分析
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND 存儲芯片
分析師認為全球芯片市場(chǎng)仍有支撐點(diǎn)
- 按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著(zhù)2009年未的迅速地復蘇, 進(jìn)入2010年時(shí)全球半導體業(yè)在數量上仍有15-20%的增長(cháng)。 按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長(cháng)大於75%。在相同的期間美國費城半導體指數也增長(cháng)相近的量。 當大部分工業(yè)分析師都認為今年半導體市場(chǎng)有20%的增長(cháng)時(shí),Benchmark分析師相信今年非 ?？赡苡?2%-24%的增長(cháng)。 其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
- 關(guān)鍵字： 芯片 NAND 智能手機
嵌入式系統中Nand-Flash的原理及應用
- 嵌入式系統中Nand-Flash的原理及應用,當前各類(lèi)嵌入式系統開(kāi)發(fā)設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲器的容量較小、寫(xiě)入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統中，常應用在程
- 關(guān)鍵字： 應用 原理 Nand-Flash 系統 嵌入式
2009年亞太半導體供應商表現出色
- 來(lái)自調研公司 iSuppli的統計顯示，2009年半導體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區的半導體供應商卻實(shí)現了逆勢上漲。 亞太區供應商專(zhuān)注熱門(mén)產(chǎn)品 iSuppli調研結果顯示，2009年總部位于亞太地區的半導體供應商合計營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(cháng)2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。 “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡，而亞太地區的供應商卻設法實(shí)現了增長(cháng)，因為他們專(zhuān)注于
- 關(guān)鍵字： 芯片 NAND
東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存
- 東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線(xiàn)，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。 目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應用于手機及數字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應的技術(shù)升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統大廠(chǎng)ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過(guò)同類(lèi)電氣機器指數0.8%的漲幅
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存
Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷(xiāo)售環(huán)比增長(cháng)24%
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營(yíng)成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷(xiāo)售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷(xiāo)售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷(xiāo)售額為10億美元。2010財年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
- 關(guān)鍵字： Micron NAND Flash
海力士預期今年營(yíng)收將達10年高點(diǎn)
- 由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠(chǎng)商海力士(Hynix)預期2010年的營(yíng)收可望達到10年來(lái)的最高點(diǎn)。 目前DRAM市場(chǎng)正處于供不應求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對個(gè)人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷(xiāo)量就可能較2009年增加10%，帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。 另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動(dòng)設備的市場(chǎng)規模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 存儲器芯片
閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價(jià)格穩定帶來(lái)正面環(huán)境
- 據iSuppli公司，由于來(lái)自高密度應用的需求上升以及供應商的產(chǎn)量穩步增長(cháng)，NAND閃存價(jià)格波動(dòng)了兩年之后，該市場(chǎng)已恢復穩定。 第一季度NAND平均價(jià)格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。 NAND價(jià)格持續透明，導致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng )出最高記錄，使得多數NAND供應商對于2010年持有非常樂(lè )觀(guān)的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對于NAND閃存的需求不斷增長(cháng)，也增強了廠(chǎng)商的信心。這種旺盛需
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
三星電子：半導體廠(chǎng)房跳電損失估計不到90億韓元
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠(chǎng)房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠(chǎng)房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產(chǎn)線(xiàn)。 YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報導，三星電子器興市半導體廠(chǎng)房24日突然跳電，其K2、K5廠(chǎng)區在當地時(shí)間
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND
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