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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
應用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機密被捕
- 據報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機密并出售給了競爭對手海力士。 美國證券交易委員會(huì )的報告顯示，Applied已經(jīng)確認此事，并透露說(shuō)其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠(chǎng)的高管。 應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶(hù)，三星的利益顯然受到了傷害
- 關(guān)鍵字： 應用材料 DRAM NAND
創(chuàng )造消費價(jià)值是關(guān)鍵
- 32位MCU強勢增長(cháng) 從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場(chǎng)情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長(cháng)曲線(xiàn)看，32位微控制器在過(guò)去5年增長(cháng)了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長(cháng)。從銷(xiāo)售額來(lái)看，在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過(guò)8位，到10月底時(shí)，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數量來(lái)說(shuō)，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長(cháng)勢頭，這
- 關(guān)鍵字： MCU NAND NOR Android
英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND
- 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個(gè)25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機、個(gè)人音樂(lè )與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。 NAND閃存可用于存儲消費電子產(chǎn)品中的數據和其它媒體內容，即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動(dòng)了該技術(shù)持續發(fā)展并不斷出現新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術(shù)，也是全球最精密的半導體技術(shù)——這項技術(shù)成就將
- 關(guān)鍵字： 英特爾 25納米 NAND
蘋(píng)果刺激NAND Flash需求 各界引頸盼望
- 蘋(píng)果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相，內建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場(chǎng)注入強心針!根據外資和市調機構估計，2010年iPad出貨量將介于600萬(wàn)~1,000萬(wàn)臺不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時(shí)也為產(chǎn)業(yè)開(kāi)創(chuàng )新應用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報價(jià)波動(dòng)相當平靜，并未反映蘋(píng)果效應，下游廠(chǎng)指出，大陸在農歷年前又開(kāi)始嚴查走私，因此當地需求銳減，預計年后才會(huì )發(fā)動(dòng)補貨行情。 蘋(píng)果推出的平板計算機(Tablet PC)
- 關(guān)鍵字： Apple SSD NAND
Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長(cháng)達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤(pán)，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
- 關(guān)鍵字： Intel NAND 25nm
DRAM跌價(jià)襲擊 模塊廠(chǎng)1月?tīng)I收處變不驚
- 2010年1月農歷春節前的補貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預期強勢，存儲器模塊廠(chǎng)1月?tīng)I收可望維持平穩，與2009年12月相較，呈現小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農歷過(guò)年工作天數減少影響，而呈現下滑，但整體行情不看淡;模塊廠(chǎng)認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會(huì )被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 存儲器模塊廠(chǎng)2009年交出豐厚的成績(jì)單，創(chuàng )見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND DDR3
韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能
- 韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說(shuō)法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù)，可大幅提升手機性能。 首爾大學(xué)表示，該團隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過(guò)去的諸多缺點(diǎn)。負責人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。 一般的NOR芯片通常并不特別，不過(guò)首爾大學(xué)工程師所開(kāi)發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團隊負責教授表示
- 關(guān)鍵字： Samsung NAND NOR芯片
2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續兩極化
- NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補貨效應出現，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續兩極化。 近期NAND Flash現貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出，在高容量32Gb和64Gb
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND
海力士第4季獲利6,570億韓元 創(chuàng )3年新高
- 全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著(zhù)全球個(gè)人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng )下3年來(lái)新高。 2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(cháng)32%，海力士營(yíng)收成長(cháng)主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長(cháng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚，此外，第4季海力士?jì)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(cháng)167%。 和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(cháng)26%及12%，至于N
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM NAND
內存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購買(mǎi)海力士
- 業(yè)內人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預付了1億美元給韓國海力士半導體公司以購買(mǎi)其2010年需要的內存和NAND閃存. 此外,該業(yè)內人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應商數量并且保證能通過(guò)預付款的方式獲得足夠多的芯片供應,而威剛所需要的內存此前主要來(lái)自韓國供應商. 內存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴(lài),因為三星電子優(yōu)先向PC和系統OEM廠(chǎng)商供貨. 另外有消息稱(chēng),海力士
- 關(guān)鍵字： 金士頓 內存 NAND
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應用市場(chǎng)面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱(chēng)它為半導體業(yè)的風(fēng)向標。 縱觀(guān)DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠(chǎng)退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達最先退出。奇夢(mèng)達的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能
- 2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠(chǎng)，紛積極募資搶錢(qián)，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠(chǎng)借錢(qián)，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來(lái)將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚(yú)幫水、水幫魚(yú)的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
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